产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS (41)
Microsemi Corporation (9)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 960W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTX6N200P3HV
仓库库存编号:
IXTX6N200P3HV-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 42A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT41F100J
仓库库存编号:
APT41F100J-ND
别名:APT41F100JMI
APT41F100JMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N30T
仓库库存编号:
IXFX120N30T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 103A(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT100M50J
仓库库存编号:
APT100M50J-ND
别名:APT100M50JMI
APT100M50JMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 35A(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT34M120J
仓库库存编号:
APT34M120J-ND
别名:APT34M120JMI
APT34M120JMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 170A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 960W(Tc) TO-247(IXFH)
型号:
IXFH170N25X3
仓库库存编号:
IXFH170N25X3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 170A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXFK)
型号:
IXFK170N25X3
仓库库存编号:
IXFK170N25X3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 960W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ480P2
仓库库存编号:
IXTQ480P2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 960W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH50N50P3
仓库库存编号:
IXFH50N50P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 140A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX140N25T
仓库库存编号:
IXFX140N25T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 120A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK120N30T
仓库库存编号:
IXFK120N30T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 32A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX32N90P
仓库库存编号:
IXFX32N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 32A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 32A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK32N90P
仓库库存编号:
IXFK32N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 32A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK32N100P
仓库库存编号:
IXFK32N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 40A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX40N90P
仓库库存编号:
IXFX40N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 40A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK40N90P
仓库库存编号:
IXFK40N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 26A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX26N120P
仓库库存编号:
IXFX26N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 30A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX30N110P
仓库库存编号:
IXFX30N110P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 30A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK30N110P
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IXFK30N110P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 38A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N100Q3
仓库库存编号:
IXFN44N100Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 35A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN40N110Q3
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IXFN40N110Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 33A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT32F120J
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APT32F120J-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 84A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT80M60J
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产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 45A(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT45M100J
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APT45M100J-ND
别名:APT45M100JMI
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MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 2500V 5A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX5N250
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IXTX5N250-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
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