产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISS27ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS27ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS27ADN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISS28DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS28DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS28DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 57W(Tc) DPAK
型号:
STD90NS3LLH7
仓库库存编号:
STD90NS3LLH7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 57W(Tc) TO-251A
型号:
AOI2N60A
仓库库存编号:
785-1646-5-ND
别名:785-1646-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 57W(Tc) TO-251
型号:
AOY2N60
仓库库存编号:
AOY2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA60DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA60DP-T1-RE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5505TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5505TRL-ND
别名:SP001519572
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF3707ZSTRLPBF-ND
别名:SP001563142
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 39A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3302L
仓库库存编号:
IRL3302L-ND
别名:*IRL3302L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 57W(Tc) DPAK
型号:
NDD02N60ZT4G
仓库库存编号:
NDD02N60ZT4GOSCT-ND
别名:NDD02N60ZT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 57W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU2N60A
仓库库存编号:
AOU2N60A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.8A(Tc) 57W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3N50_004
仓库库存编号:
AOD3N50_004-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
94-4737
仓库库存编号:
94-4737-ND
别名:*IRFR3303
IRFR3303
IRFR3303-ND
SP001517800
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TR
仓库库存编号:
IRFR3303TR-ND
别名:SP001572808
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505
仓库库存编号:
IRFR5505-ND
别名:*IRFR5505
SP001573284
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3303
仓库库存编号:
IRFU3303-ND
别名:*IRFU3303
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5505
仓库库存编号:
IRFU5505-ND
别名:*IRFU5505
SP001552454
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3302
仓库库存编号:
IRL3302-ND
别名:*IRL3302
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302S
仓库库存编号:
IRL3302S-ND
别名:*IRL3302S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TRL
仓库库存编号:
IRFR3303TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TRR
仓库库存编号:
IRFR3303TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505TRL
仓库库存编号:
IRFR5505TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505TRR
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IRFR5505TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRL
仓库库存编号:
IRL3302STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 57W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
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型号:
IRL3302STRR
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IRL3302STRR-ND
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含铅
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