产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (18)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (3)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (2)
Taiwan Semiconductor Corporation (4)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (5)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 6.8A(Tc) 46W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB7N50LPBF
仓库库存编号:
IRFIB7N50LPBF-ND
别名:*IRFIB7N50LPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.5A(Tc) 46W(Tc) I-Pak
型号:
NDD01N60-1G
仓库库存编号:
NDD01N60-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.5A(Tc) 46W(Tc) DPAK
型号:
NDD01N60T4G
仓库库存编号:
NDD01N60T4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU13N03LA G
仓库库存编号:
IPU13N03LAGIN-ND
别名:IPU13N03LA
IPU13N03LAGIN
IPU13N03LAGX
IPU13N03LAGXTIN
IPU13N03LAGXTIN-ND
IPU13N03LAIN
IPU13N03LAIN-ND
SP000017538
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP14N03LA
仓库库存编号:
IPP14N03LAIN-ND
别名:IPP14N03LAIN
IPP14N03LAX
IPP14N03LAXTIN
IPP14N03LAXTIN-ND
SP000014028
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB14N03LA
仓库库存编号:
IPB14N03LAINTR-ND
别名:IPB14N03LAINTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD13N03LA G
仓库库存编号:
IPD13N03LAGINCT-ND
别名:IPD13N03LAG
IPD13N03LAGINCT
IPD13N03LAGXTINCT
IPD13N03LAGXTINCT-ND
IPD13N03LAINCT
IPD13N03LAINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB14N03LAT
仓库库存编号:
IPB14N03LAT-ND
别名:SP000016324
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB14N03LA G
仓库库存编号:
IPB14N03LA G-ND
别名:IPB14N03LAGXT
SP000085264
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI14N03LA
仓库库存编号:
IPI14N03LA-ND
别名:IPI14N03LAX
SP000014029
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS13N03LA G
仓库库存编号:
IPS13N03LA G-ND
别名:IPS13N03LAGX
SP000015133
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 51.5A(Tc) 46W(Tc) TO-220F-3
型号:
PSMN7R6-60XSQ
仓库库存编号:
568-12475-ND
别名:568-12475
934069171127
PSMN7R6-60XS,127
PSMN7R6-60XSQ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 46W(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号