产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 560V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 560V 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP21N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP21N50C3HKSA1-ND
别名:SPP21N50C3
SPP21N50C3IN
SPP21N50C3IN-ND
SPP21N50C3X
SPP21N50C3XK
SPP21N50C3XTIN
SPP21N50C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 560V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP16N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP16N50C3HKSA1-ND
别名:SPP16N50C3
SPP16N50C3IN
SPP16N50C3IN-ND
SPP16N50C3X
SPP16N50C3XK
SPP16N50C3XTIN
SPP16N50C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 560V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP12N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP12N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014459
SPP12N50C3
SPP12N50C3IN
SPP12N50C3IN-ND
SPP12N50C3X
SPP12N50C3XK
SPP12N50C3XTIN
SPP12N50C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 560V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N50C3
仓库库存编号:
SPD02N50C3INTR-ND
别名:SP000014476
SPD02N50C3INTR
SPD02N50C3XT
SPD02N50C3XT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 560V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N50C3T
仓库库存编号:
SPD04N50C3XTINCT-ND
别名:SPD04N50C3XTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 560V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI16N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI16N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014470
SP000681004
SPI16N50C3
SPI16N50C3-ND
SPI16N50C3IN
SPI16N50C3IN-ND
SPI16N50C3X
SPI16N50C3XK
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