产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327T
仓库库存编号:
BSP295XTINCT-ND
别名:BSP295XTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315PE6327T
仓库库存编号:
BSP315PXTINCT-ND
别名:BSP315PXTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 86A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6648TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6648TR1PBFCT-ND
别名:IRF6648TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV
仓库库存编号:
BSO613SPV-ND
别名:BSO613SPVT
SP000012847
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.6A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318S E6327
仓库库存编号:
BSP318S E6327-ND
别名:BSP318SE6327T
SP000011112
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320S E6327
仓库库存编号:
BSP320S E6327-ND
别名:BSP320SE6327T
SP000011115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320S E6433
仓库库存编号:
BSP320S E6433-ND
别名:BSP320SE6433T
SP000011116
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613P
仓库库存编号:
BSP613P-ND
别名:BSP613PT
SP000012301
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E6433
仓库库存编号:
BSS138N E6433-ND
别名:BSS138NE6433XT
SP000014561
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E6908
仓库库存编号:
BSS138N E6908-ND
别名:BSS138NE6908T
SP000014564
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E7854
仓库库存编号:
BSS138N E7854-ND
别名:BSS138NE7854XT
SP000014562
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E8004
仓库库存编号:
BSS138N E8004-ND
别名:BSS138NE8004XT
SP000014563
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W E6433
仓库库存编号:
BSS138W E6433-ND
别名:BSS138WE6433
SP000014284
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159N E6327
仓库库存编号:
BSS159N E6327-ND
别名:BSS159NE6327XT
SP000014638
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159N E6906
仓库库存编号:
BSS159N E6906-ND
别名:BSS159NE6906XT
SP000055412
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84P E6433
仓库库存编号:
BSS84P E6433-ND
别名:BSS84PE6433XT
SP000012323
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113ANKSA1
仓库库存编号:
BTS113ANKSA1-ND
别名:BTS113A
BTS113A-ND
SP000011187
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS113AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS113A E3045A
BTS113A E3045A-ND
BTS113AE3045AT
SP000011188
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113AE3064NKSA1
仓库库存编号:
BTS113AE3064NKSA1-ND
别名:BTS113A E3064
BTS113A E3064-ND
BTS113AE3064
SP000011189
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB065N06L G
仓库库存编号:
IPB065N06L G-ND
别名:IPB063N06LGXT
IPB065N06LGXT
SP000204183
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD230N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD230N06NGBTMA1TR-ND
别名:IPD230N06N G
IPD230N06N G-ND
IPD230N06NGXT
SP000204196
SP000450200
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP048N06L G
仓库库存编号:
IPP048N06LGIN-ND
别名:IPP048N06L G-ND
IPP048N06LGIN
IPP048N06LGX
IPP048N06LGXK
SP000204180
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP050N06N G
仓库库存编号:
IPP050N06NGIN-ND
别名:IPP050N06N G-ND
IPP050N06NGIN
IPP050N06NGX
IPP050N06NGXK
SP000204169
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP065N06LGAKSA1
仓库库存编号:
IPP065N06LGAKSA1-ND
别名:IPP065N06L G
IPP065N06L G-ND
IPP065N06LG
IPP065N06LGXK
SP000204182
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP070N06L G
仓库库存编号:
IPP070N06LGIN-ND
别名:IPP070N06L G-ND
IPP070N06LGIN
IPP070N06LGX
IPP070N06LGXK
SP000204171
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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