产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 55W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL13N60M2
仓库库存编号:
497-14966-1-ND
别名:497-14966-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB13N60M2
仓库库存编号:
497-13828-1-ND
别名:497-13828-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) D2PAK
型号:
STB18N60DM2
仓库库存编号:
497-16339-1-ND
别名:497-16339-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF190N60
仓库库存编号:
FCPF190N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 3.13W(Ta),142W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI7N60TU
仓库库存编号:
FQI7N60TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD10NM60ND
仓库库存编号:
497-12239-1-ND
别名:497-12239-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
STB7ANM60N
仓库库存编号:
497-13935-1-ND
别名:497-13935-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.6A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF190N60E
仓库库存编号:
FCPF190N60E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB13NK60ZT4
仓库库存编号:
497-6546-1-ND
别名:497-6546-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.2A(Tc) 208W(Tc) Power88
型号:
FCMT199N60
仓库库存编号:
FCMT199N60CT-ND
别名:FCMT199N60CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF400N60
仓库库存编号:
FCPF400N60FS-ND
别名:FCPF400N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83.3W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP9N60N
仓库库存编号:
FCP9N60N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD11NM60ND
仓库库存编号:
497-8477-1-ND
别名:497-8477-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 114W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH11N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH11N60E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH11N60E-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK16A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK16A60WS4VX-ND
别名:TK16A60W,S4VX(M
TK16A60WS4VX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB24N60DM2
仓库库存编号:
497-15423-1-ND
别名:497-15423-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
FCP190N60_GF102
仓库库存编号:
FCP190N60_GF102-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB11N60TM
仓库库存编号:
FCB11N60TMCT-ND
别名:FCB11N60TM_NLCT
FCB11N60TM_NLCT-ND
FCB11N60TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK20A60W5,S5VX
仓库库存编号:
TK20A60W5S5VX-ND
别名:TK20A60W5,S5VX(M
TK20A60W5,S5VX-ND
TK20A60W5S5VX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 125W(Tc) Power88
型号:
FCMT299N60
仓库库存编号:
FCMT299N60CT-ND
别名:FCMT299N60CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6008FNJTL
仓库库存编号:
R6008FNJTLCT-ND
别名:R6008FNJTLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL19N60DM2
仓库库存编号:
497-16361-1-ND
别名:497-16361-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 156W(Tc) TO-220
型号:
FCP260N60E
仓库库存编号:
FCP260N60E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 109W(Tc) DPAK
型号:
STD13NM60ND
仓库库存编号:
497-13863-1-ND
别名:497-13863-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 147W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH14N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH14N60E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH14N60E-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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