产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R520C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R520C6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 89.3W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
型号:
IPL60R360P6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R360P6SATMA1CT-ND
别名:IPL60R360P6SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R380P6ATMA1CT-ND
别名:IPB60R380P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R210P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R210P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R210P6AUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R190C6
仓库库存编号:
IPB60R190C6INCT-ND
别名:IPB60R190C6INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R160C6
仓库库存编号:
IPB60R160C6CT-ND
别名:IPB60R160C6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R165CP
仓库库存编号:
IPB60R165CPCT-ND
别名:IPB60R165CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R125C6
仓库库存编号:
IPB60R125C6CT-ND
别名:IPB60R125C6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 25A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R125CP
仓库库存编号:
IPB60R125CPCT-ND
别名:IPB60R125CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP10NM60N
仓库库存编号:
497-9098-5-ND
别名:497-9098-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STP10NK60ZFP
仓库库存编号:
497-5892-5-ND
别名:497-5892-5
STP10NK60ZFP-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Tc) 41.7W(Tc) TO-220
型号:
AOT1N60
仓库库存编号:
785-1184-5-ND
别名:785-1184-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A60W5,S5VX
仓库库存编号:
TK7A60W5S5VX-ND
别名:TK7A60W5,S5VX(M
TK7A60W5S5VX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF13N60M2
仓库库存编号:
497-13832-5-ND
别名:497-13832-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N60APBF
仓库库存编号:
IRFB9N60APBF-ND
别名:*IRFB9N60APBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP13NK60Z
仓库库存编号:
497-3182-5-ND
别名:497-3182-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
STP10NK60Z
仓库库存编号:
497-4117-5-ND
别名:497-4117-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP9NK60ZFP
仓库库存编号:
497-5983-5-ND
别名:497-5983-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP25N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15892-5-ND
别名:497-15892-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) TO-247-3
型号:
STW34NM60N
仓库库存编号:
497-10975-5-ND
别名:497-10975-5
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Transphorm
GAN FET 600V 9A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 65W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3202LD
仓库库存编号:
TPH3202LD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) TO-220-3
型号:
NTP8G206NG
仓库库存编号:
NTP8G206NGOS-ND
别名:NTP8G206NGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 77A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT77N60JC3
仓库库存编号:
APT77N60JC3-ND
别名:APT77N60JC3MI
APT77N60JC3MI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 70A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN70N60Q2
仓库库存编号:
IXFN70N60Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.8A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF04N60ZG
仓库库存编号:
NDF04N60ZGOS-ND
别名:NDF04N60ZG-ND
NDF04N60ZGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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