产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,搜索词：IRLML250,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(3)
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Infineon Technologies(3)
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表面贴装(3)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(3)
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HEXFET?(3)
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剪切带（CT） (3)
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Micro3?/SOT-23(3)
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MOSFET（金属氧化物）(3)
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45 毫欧 @ 4.2A，4.5V(3)
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2.7V，4.5V(1)
2.5V，4.5V(2)
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N 沟道(3)
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4.2A（Ta）(3)
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740pF @ 15V(3)
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-(3)
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2502TRPBF
仓库库存编号：
IRLML2502PBFCT-ND
别名：*IRLML2502TRPBF
IRLML2502PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,搜索词：IRLML250,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2502GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML2502GTRPBFCT-ND
别名：IRLML2502GTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,搜索词：IRLML250,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2502TR
仓库库存编号：
IRLML2502CT-ND
别名：*IRLML2502TR
IRLML2502
IRLML2502-ND
IRLML2502CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,搜索词：IRLML250,
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