产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 75ns,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
详细描述:IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
型号:
FGA50N100BNTD2
仓库库存编号:
FGA50N100BNTD2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 75ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
详细描述:IGBT Trench 600V 16A 30W Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60M1DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60M1DPP-M0#T2-ND
别名:RJH60M1DPPM0T2
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 75ns,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 54A 390W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 390W Through Hole TO-247
型号:
HGTG18N120BND
仓库库存编号:
HGTG18N120BND-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 75ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT Trench Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW30N65ES5XKSA1
仓库库存编号:
IKW30N65ES5XKSA1-ND
别名:SP001319678
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 75ns,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 95A 460W PLUS247
详细描述:IGBT PT 1200V 95A 460W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX50N120C3H1
仓库库存编号:
IXGX50N120C3H1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 75ns,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 95A 460W TO264
详细描述:IGBT PT 1200V 95A 460W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK50N120C3H1
仓库库存编号:
IXGK50N120C3H1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 75ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 74A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW40N65H5AXKSA1
仓库库存编号:
IKW40N65H5AXKSA1-ND
别名:SP001187512
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 75ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 55A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC50UD-MP
仓库库存编号:
IRG4PC50UD-MP-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 75ns,
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