产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 275W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N65EH5XKSA1
仓库库存编号:
IKW50N65EH5XKSA1-ND
别名:SP001257944
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W PG-TO220-3
详细描述:IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IGP40N65F5XKSA1
仓库库存编号:
IGP40N65F5XKSA1-ND
别名:SP000973422
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W TO220-3
详细描述:IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IKP40N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IKP40N65H5XKSA1-ND
别名:SP001001720
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 10.8A 31.2W TO220-3
详细描述:IGBT 650V 10.8A 31.2W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IKA08N65F5XKSA1
仓库库存编号:
IKA08N65F5XKSA1-ND
别名:SP000973414
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 10.8A 31.2W PG-TO220-3
详细描述:IGBT 650V 10.8A 31.2W Through Hole TO-220-3
型号:
IKA08N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IKA08N65H5XKSA1-ND
别名:SP001001722
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 14A 33.3W PG-TO220-3
详细描述:IGBT 650V 14A 33.3W Through Hole TO-220-3
型号:
IKA15N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IKA15N65H5XKSA1-ND
别名:SP001001724
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 14A 33.3W PG-TO220-3FP
详细描述:IGBT 650V 14A 33.3W Through Hole PG-TO-220-FP
型号:
IKA15N65F5XKSA1
仓库库存编号:
IKA15N65F5XKSA1-ND
别名:SP000973416
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
详细描述:IGBT 650V 30A 105W Through Hole PG-TO220-3
型号:
IKP15N65F5XKSA1
仓库库存编号:
IKP15N65F5XKSA1-ND
别名:SP000973410
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
详细描述:IGBT 650V 30A 105W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IKP15N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IKP15N65H5XKSA1-ND
别名:SP001001718
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
详细描述:IGBT 650V 80A 305W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW50N65F5FKSA1
仓库库存编号:
IGW50N65F5FKSA1-ND
别名:SP000973426
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 230W TO247
详细描述:IGBT 650V 80A 230W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW40N65R5XKSA1
仓库库存编号:
IHW40N65R5XKSA1-ND
别名:SP001133102
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
详细描述:IGBT 650V 18A 70W Through Hole TO-220-3
型号:
IKP08N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IKP08N65H5XKSA1-ND
别名:SP001001716
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO220-3
详细描述:IGBT Trench 650V 55A 188W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IGP30N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IGP30N65H5XKSA1-ND
别名:SP001037772
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO220-3
详细描述:IGBT Trench 650V 42A 125W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IKP20N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IKP20N65H5XKSA1-ND
别名:SP001133078
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO220-3
详细描述:IGBT Trench 650V 55A 188W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IKP30N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IKP30N65H5XKSA1-ND
别名:SP001133084
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 395W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW75N65ES5XKSA1
仓库库存编号:
IKW75N65ES5XKSA1-ND
别名:SP001319684
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO-247
详细描述:IGBT 650V 70A 273W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4750DPBF
仓库库存编号:
IRGP4750DPBF-ND
别名:SP001546176
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
详细描述:IGBT 650V 18A 70W Through Hole TO-220-3
型号:
IKP08N65F5XKSA1
仓库库存编号:
IKP08N65F5XKSA1-ND
别名:SP000973408
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
详细描述:IGBT 650V 74A 255W Through Hole TO-220-3
型号:
IGP40N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IGP40N65H5XKSA1-ND
别名:SP001001738
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W TO220-3
详细描述:IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IKP40N65F5XKSA1
仓库库存编号:
IKP40N65F5XKSA1-ND
别名:SP000973412
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
详细描述:IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW40N65H5FKSA1
仓库库存编号:
IKW40N65H5FKSA1-ND
别名:SP001001730
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
详细描述:IGBT 650V 80A 305W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N65H5FKSA1
仓库库存编号:
IKW50N65H5FKSA1-ND
别名:SP001001734
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 90A 395W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW75N65EH5XKSA1
仓库库存编号:
IKW75N65EH5XKSA1-ND
别名:SP001257948
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 282W TO247
详细描述:IGBT 650V 80A 282W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW50N65R5XKSA1
仓库库存编号:
IHW50N65R5XKSA1-ND
别名:SP001133104
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT Trench Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW30N65ES5XKSA1
仓库库存编号:
IKW30N65ES5XKSA1-ND
别名:SP001319678
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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