产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (25)
Microchip Technology (1)
Global Power Technologies Group (13)
Infineon Technologies (397)
IXYS (602)
Microsemi Corporation (124)
Fairchild/ON Semiconductor (205)
ON Semiconductor (33)
STMicroelectronics (143)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 54A 347W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GT120BRG
仓库库存编号:
APT25GT120BRG-ND
别名:APT25GT120BRGMI
APT25GT120BRGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 75A 463W TO247
详细描述:IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
型号:
HGTG30N60A4D
仓库库存编号:
HGTG30N60A4D-ND
别名:HGTG30N60A4D_NL
HGTG30N60A4D_NL-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GP60BDQ1G
仓库库存编号:
APT30GP60BDQ1G-ND
别名:APT30GP60BDQ1GMP
APT30GP60BDQ1GMP-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 93A 415W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GS60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT50GS60BRDQ2G-ND
别名:APT50GS60BRDQ2GMI
APT50GS60BRDQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1700V 75A 350W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 1700V 75A 350W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH32N170
仓库库存编号:
IXGH32N170-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1700V 80A 360W TO247
详细描述:IGBT 1700V 80A 360W Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号:
IXBH42N170
仓库库存编号:
IXBH42N170-ND
别名:Q1157068
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
型号:
APT75GP120B2G
仓库库存编号:
APT75GP120B2G-ND
别名:APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 3600V 70A TO-247HV
详细描述:IGBT 3600V 70A 430W Through Hole TO-247HV
型号:
IXBH20N360HV
仓库库存编号:
IXBH20N360HV-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 2500V 32A 250W I4PAC
详细描述:IGBT NPT 2500V 32A 250W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXLF19N250A
仓库库存编号:
IXLF19N250A-ND
别名:Q1750432
Q6027284
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 3000V 80A 400W TO247
详细描述:IGBT 3000V 80A 400W Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号:
IXBH32N300
仓库库存编号:
IXBH32N300-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 3000V 130A 625W TO264
详细描述:IGBT 3000V 130A 625W Through Hole TO-264
型号:
IXBK55N300
仓库库存编号:
IXBK55N300-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 2500V 170A 780W TO264
详细描述:IGBT NPT 2500V 170A 780W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK75N250
仓库库存编号:
IXGK75N250-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
详细描述:IGBT 3600V 92A 417W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXBL60N360
仓库库存编号:
IXBL60N360-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
详细描述:IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA
型号:
HGTD1N120BNS9A
仓库库存编号:
HGTD1N120BNS9ACT-ND
别名:HGTD1N120BNS9ACT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 20A 65W TO220
详细描述:IGBT 600V 20A 65W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP10NC60HD
仓库库存编号:
497-5118-5-ND
别名:497-5118-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 9A 25W TO220FP
详细描述:IGBT 600V 9A 25W Through Hole TO-220FP
型号:
STGF10NC60KD
仓库库存编号:
497-5114-5-ND
别名:497-5114-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20KDSTRLP
仓库库存编号:
IRG4BC20KDSTRLPCT-ND
别名:IRG4BC20KDSTRLPCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 25A 80W TO220
详细描述:IGBT 600V 25A 80W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP7NC60HD
仓库库存编号:
497-6735-5-ND
别名:497-6735-5
STGP7NC60HD-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 130W TO220
详细描述:IGBT 600V 40A 130W Through Hole TO-220
型号:
STGP19NC60HD
仓库库存编号:
497-8809-5-ND
别名:497-8809-5
STGP19NC60HD-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 35A 298W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247
型号:
HGTG10N120BND
仓库库存编号:
HGTG10N120BND-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 200W TO247
详细描述:IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW20NC60VD
仓库库存编号:
497-4357-5-ND
别名:497-4357-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 250W TO247
详细描述:IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW39NC60VD
仓库库存编号:
497-5741-ND
别名:497-5741
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 49A 160W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC40FDPBF
仓库库存编号:
IRG4PC40FDPBF-ND
别名:*IRG4PC40FDPBF
SP001540552
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 55A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC50UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50UDPBF-ND
别名:*IRG4PC50UDPBF
63-6001PBF
63-6001PBF-ND
SP001536024
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
详细描述:IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
型号:
FGA25N120ANTDTU
仓库库存编号:
FGA25N120ANTDTU-ND
别名:FGA25N120ANTDTU_NL
FGA25N120ANTDTU_NL-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号