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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
  
  型号：W631GU8KB15I TR
  仓库库存编号：W631GU8KB15I TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
  
  型号：W631GU6KB12I TR
  仓库库存编号：W631GU6KB12I TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
  
  型号：W631GU6KB15I TR
  仓库库存编号：W631GU6KB15I TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC FLASH 512MBIT 104MHZ 16SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） SPI 16-SOIC
  
  型号：W25M512JVFIQ TR
  仓库库存编号：W25M512JVFIQ TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 5.5ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42SM16400M-6BLI-TR
  仓库库存编号：IS42SM16400M-6BLI-TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 50MHZ 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （1G x 1） SPI 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G01AAADDH4-ITX:D
  仓库库存编号：MT29F1G01AAADDH4-ITX:D-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D
  仓库库存编号：MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
  仓库库存编号：MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 50MHZ 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （1G x 1） SPI 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G01AAADDH4-ITX:D TR
  仓库库存编号：MT29F1G01AAADDH4-ITX:D TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D TR
  仓库库存编号：MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D TR
  仓库库存编号：MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 6ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42VM16400M-75BLI
  仓库库存编号：IS42VM16400M-75BLI-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
  
  型号：W631GG8KB15I TR
  仓库库存编号：W631GG8KB15I TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42S16160G-7BL
  仓库库存编号：IS42S16160G-7BL-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42S16160G-6BLI-TR
  仓库库存编号：IS42S16160G-6BLI-TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS45S16800F-7TLA1-TR
  仓库库存编号：IS45S16800F-7TLA1-TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC PSRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
  详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 70ns 54-VFBGA（6x8）
  
  型号：W957D6HBCX7I TR
  仓库库存编号：W957D6HBCX7I TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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  IC PSRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
  详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 70ns 54-VFBGA（6x8）
  
  型号：W967D6HBGX7I TR
  仓库库存编号：W967D6HBGX7I TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 86TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 86-TSOP II
  
  型号：IS42S32200L-6TLI
  仓库库存编号：IS42S32200L-6TLI-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS45S16400J-6CTLA1
  仓库库存编号：IS45S16400J-6CTLA1-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 6ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42SM16400M-75BLI
  仓库库存编号：IS42SM16400M-75BLI-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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  IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
  
  型号：W632GG8KB-12 TR
  仓库库存编号：W632GG8KB-12 TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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  IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
  
  型号：W632GG8KB-15 TR
  仓库库存编号：W632GG8KB-15 TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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  IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
  
  型号：W632GG6KB-15 TR
  仓库库存编号：W632GG6KB-15 TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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  IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
  
  型号：W632GU6KB-12 TR
  仓库库存编号：W632GU6KB-12 TR-ND
  
  产品分类：集成电路（IC）,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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