产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 800MHz 20ns 96-FBGA(13x8)
型号:
AS4C64M16D3L-12BIN
仓库库存编号:
1450-1114-ND
别名:1450-1114
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 400MHz 400ns 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-25EBL
仓库库存编号:
IS43DR16160A-25EBL-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 400MHz 400ns 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-25EBLI
仓库库存编号:
IS43DR16160A-25EBLI-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 400MHz 400ns 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-25EBLI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-25EBLI-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 400MHz 400ns 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-25EBL-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-25EBL-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 267MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 266MHz 500ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-37CBLI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-37CBLI-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 267MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 266MHz 500ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-37CBL-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-37CBL-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBI
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBI-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBI-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBL
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBL-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBLI
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBLI-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBLI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBLI-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-3DBL-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-3DBL-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 200MHz 600ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-5BBLI
仓库库存编号:
IS43DR16160A-5BBLI-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 200MHz 600ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-5BBLI-TR
仓库库存编号:
IS43DR16160A-5BBLI-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 333MHz 450ps 60-TWBGA(10.5x8)
型号:
IS43DR86400C-3DBI
仓库库存编号:
IS43DR86400C-3DBI-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 333MHz 450ps 60-TWBGA(10.5x8)
型号:
IS43DR86400C-3DBI-TR
仓库库存编号:
IS43DR86400C-3DBI-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16160F-6BL
仓库库存编号:
IS43LR16160F-6BL-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16160F-6BLI
仓库库存编号:
IS43LR16160F-6BLI-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16160F-6BLI-TR
仓库库存编号:
IS43LR16160F-6BLI-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16160F-6BL-TR
仓库库存编号:
IS43LR16160F-6BL-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16400B-6BLI
仓库库存编号:
IS43LR16400B-6BLI-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16400B-6BLI-TR
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IS43LR16400B-6BLI-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16800F-6BL
仓库库存编号:
IS43LR16800F-6BL-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16800F-6BLI-TR
仓库库存编号:
IS43LR16800F-6BLI-TR-ND
产品分类:集成电路(IC),规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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