产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 512Kb (64K x 8) 并联 9ns 100-TQFP(14x14)
型号:
70V9089L9PF8
仓库库存编号:
70V9089L9PF8-ND
别名:IDT70V9089L9PF8
IDT70V9089L9PF8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1414KV18-250BZXCT
仓库库存编号:
CY7C1414KV18-250BZXCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1412KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1412KV18-250BZCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1413KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1413KV18-250BZCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1414KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1414KV18-250BZCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1415KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1415KV18-250BZCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1418KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1418KV18-250BZCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1420KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1420KV18-250BZCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1424KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1424KV18-250BZCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1414KV18-250BZXIT
仓库库存编号:
CY7C1414KV18-250BZXIT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (4M x 9) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1425KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1425KV18-250BZCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (4M x 9) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1426KV18-250BZCT
仓库库存编号:
CY7C1426KV18-250BZCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 18MBIT 166MHZ 100TQFP
详细描述:SRAM - 同步 ZBT 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 166MHz 3.5ns 100-TQFP(14x20)
型号:
71T75602S166PFGI
仓库库存编号:
71T75602S166PFGI-ND
别名:IDT71T75602S166PFGI
IDT71T75602S166PFGI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256GBIT 167MHZ 152VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb (32G x 8) 并联 167MHz
型号:
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
仓库库存编号:
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 18MBIT 300MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 300MHz 165-LFBGA(13x15)
型号:
IS61DDB21M18A-300B4L
仓库库存编号:
IS61DDB21M18A-300B4L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 18MBIT 300MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 300MHz 165-LFBGA(13x15)
型号:
IS61DDB21M18A-300M3L
仓库库存编号:
IS61DDB21M18A-300M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 18MBIT 250MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 250MHz 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61DDB251236A-250M3L
仓库库存编号:
IS61DDB251236A-250M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 18MBIT 250MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 250MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61DDB41M18A-250M3L
仓库库存编号:
IS61DDB41M18A-250M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 18MBIT 250MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 250MHz 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61DDB451236A-250M3L
仓库库存编号:
IS61DDB451236A-250M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 15NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 256Kb (16K x 16) 并联 15ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9269L15PRF
仓库库存编号:
70V9269L15PRF-ND
别名:IDT70V9269L15PRF
IDT70V9269L15PRF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 512KBIT 12NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 512Kb (32K x 16) 并联 12ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9279S12PRF8
仓库库存编号:
70V9279S12PRF8-ND
别名:IDT70V9279S12PRF8
IDT70V9279S12PRF8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 18MBIT 166MHZ 100TQFP
详细描述:SRAM - 同步 ZBT 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 166MHz 3.5ns 100-TQFP(14x14)
型号:
71T75802S166PFGI
仓库库存编号:
71T75802S166PFGI-ND
别名:IDT71T75802S166PFGI
IDT71T75802S166PFGI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256GBIT 167MHZ 152VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb (32G x 8) 并联 167MHz
型号:
MT29E256G08CECCBH6-6:C
仓库库存编号:
MT29E256G08CECCBH6-6:C-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 12ns 100-TQFP(14x14)
型号:
709079L12PFI
仓库库存编号:
709079L12PFI-ND
别名:IDT709079L12PFI
IDT709079L12PFI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 9NS 100TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 9ns 100-TQFP(14x14)
型号:
709079L9PF
仓库库存编号:
709079L9PF-ND
别名:IDT709079L9PF
IDT709079L9PF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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