产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 333MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1414KV18-333BZC
仓库库存编号:
CY7C1414KV18-333BZC-ND
别名:CY7C1414KV18333BZC
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 333MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1418KV18-333BZC
仓库库存编号:
CY7C1418KV18-333BZC-ND
别名:CY7C1418KV18333BZC
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 333MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1423KV18-333BZXC
仓库库存编号:
CY7C1423KV18-333BZXC-ND
别名:CY7C1423KV18333BZXC
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 333MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1420KV18-333BZXI
仓库库存编号:
CY7C1420KV18-333BZXI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 333MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1420KV18-333BZI
仓库库存编号:
CY7C1420KV18-333BZI-ND
别名:CY7C1420KV18333BZI
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 333MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1412KV18-333BZXI
仓库库存编号:
CY7C1412KV18-333BZXI-ND
别名:CY7C1412KV18333BZXI
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb (4M x 9) 并联 333MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1425KV18-333BZXC
仓库库存编号:
CY7C1425KV18-333BZXC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 333MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDP2B21M18A-333M3L
仓库库存编号:
IS61QDP2B21M18A-333M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 333MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDP2B251236A-333M3L
仓库库存编号:
IS61QDP2B251236A-333M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 400MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDP2B41M18A-400M3L
仓库库存编号:
IS61QDP2B41M18A-400M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 400MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDP2B451236A-400M3L
仓库库存编号:
IS61QDP2B451236A-400M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 333MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDPB21M18A-333M3L
仓库库存编号:
IS61QDPB21M18A-333M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 333MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDPB251236A-333M3L
仓库库存编号:
IS61QDPB251236A-333M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 18Mb (1M x 18) 并联 400MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDPB41M18A-400M3L
仓库库存编号:
IS61QDPB41M18A-400M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 400MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDPB451236A-400M3LI
仓库库存编号:
IS61QDPB451236A-400M3LI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 133MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 133MHz 6.5ns 165-FBGA(15x17)
型号:
CY7C1441KV25-133BZXIT
仓库库存编号:
CY7C1441KV25-133BZXIT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 167MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 167MHz 3.4ns 165-FBGA(15x17)
型号:
CY7C1460KV25-167BZCT
仓库库存编号:
CY7C1460KV25-167BZCT-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 512KBIT 12NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 512Kb (32K x 16) 并联 12ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9279S12PRF
仓库库存编号:
800-1400-ND
别名:800-1400
IDT70V9279S12PRF
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (32M x 18) 并联 400MHz 15ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M18CSJ-25E:B
仓库库存编号:
MT49H32M18CSJ-25E:B-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (32M x 18) 并联 400MHz 15ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M18CSJ-25E:B TR
仓库库存编号:
MT49H32M18CSJ-25E:B TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 400MHz 15ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36SJ-25E:B TR
仓库库存编号:
MT49H16M36SJ-25E:B TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (32M x 18) 并联 400MHz 15ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M18SJ-25E:B TR
仓库库存编号:
MT49H32M18SJ-25E:B TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 400MHz 15ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36SJ-25E:B
仓库库存编号:
MT49H16M36SJ-25E:B-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (32M x 18) 并联 400MHz 15ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M18SJ-25E:B
仓库库存编号:
MT49H32M18SJ-25E:B-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 576KBIT 5NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 576Kb (32K x 18) 并联 5ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3379S5BC8
仓库库存编号:
70V3379S5BC8-ND
别名:IDT70V3379S5BC8
IDT70V3379S5BC8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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