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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 36MBIT 250MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb （2M x 18） 并联 250MHz 2.5ns 165-FBGA（15x17）
  
  型号：CY7C1462KV25-250BZXC
  仓库库存编号：CY7C1462KV25-250BZXC-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
  详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 18Mb （1M x 18） 并联 550MHz 165-FBGA（13x15）
  
  型号：CY7C1163KV18-550BZC
  仓库库存编号：CY7C1163KV18-550BZC-ND
  别名：CY7C1163KV18550BZC
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
  详细描述：SRAM - 同步，DDR II+ 存储器 IC 18Mb （512K x 36） 并联 550MHz 165-FBGA（13x15）
  
  型号：CY7C1170KV18-550BZC
  仓库库存编号：CY7C1170KV18-550BZC-ND
  别名：CY7C1170KV18550BZC
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
  详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 18Mb （512K x 36） 并联 550MHz 165-FBGA（13x15）
  
  型号：CY7C1165KV18-550BZXC
  仓库库存编号：CY7C1165KV18-550BZXC-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 512KBIT 12NS 128TQFP
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 512Kb （32K x 16） 并联 12ns 128-TQFP（14x20）
  
  型号：70V9279L12PRF
  仓库库存编号：70V9279L12PRF-ND
  别名：IDT70V9279L12PRF
  IDT70V9279L12PRF-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 36MBIT 133MHZ 165FBGA
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb （1M x 36） 并联 133MHz 6.5ns 165-FBGA（15x17）
  
  型号：CY7C1441KV25-133BZXI
  仓库库存编号：CY7C1441KV25-133BZXI-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 576KBIT 6NS 128TQFP
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 576Kb （32K x 18） 并联 6ns 128-TQFP（14x20）
  
  型号：70V3379S6PRF8
  仓库库存编号：70V3379S6PRF8-ND
  别名：IDT70V3379S6PRF8
  IDT70V3379S6PRF8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 36MBIT 167MHZ 165FBGA
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb （1M x 36） 并联 167MHz 3.4ns 165-FBGA（15x17）
  
  型号：CY7C1460KV25-167BZC
  仓库库存编号：CY7C1460KV25-167BZC-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 576KBIT 4.2NS 256CABGA
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 576Kb （32K x 18） 并联 4.2ns 256-CABGA（17x17）
  
  型号：70V3379S4BC8
  仓库库存编号：70V3379S4BC8-ND
  别名：IDT70V3379S4BC8
  IDT70V3379S4BC8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 576KBIT 4.2NS 208CABGA
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 576Kb （32K x 18） 并联 4.2ns 208-CABGA（15x15）
  
  型号：70V3379S4BF8
  仓库库存编号：70V3379S4BF8-ND
  别名：IDT70V3379S4BF8
  IDT70V3379S4BF8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 576KBIT 4.2NS 256CABGA
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 576Kb （16K x 36） 并联 4.2ns 256-CABGA（17x17）
  
  型号：70V3569S4BC8
  仓库库存编号：70V3569S4BC8-ND
  别名：IDT70V3569S4BC8
  IDT70V3569S4BC8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 576KBIT 4.2NS 208CABGA
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 576Kb （16K x 36） 并联 4.2ns 208-CABGA（15x15）
  
  型号：70V3569S4BF8
  仓库库存编号：70V3569S4BF8-ND
  别名：IDT70V3569S4BF8
  IDT70V3569S4BF8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 576KBIT 4.2NS 208CABGA
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 576Kb （16K x 36） 并联 4.2ns 208-CABGA（15x15）
  
  型号：70V3569S4BFG8
  仓库库存编号：70V3569S4BFG8-ND
  别名：IDT70V3569S4BFG8
  IDT70V3569S4BFG8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 512KBIT 6.5NS 128TQFP
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 512Kb （32K x 16） 并联 6.5ns 128-TQFP（14x20）
  
  型号：70V9279L6PRF8
  仓库库存编号：70V9279L6PRF8-ND
  别名：IDT70V9279L6PRF8
  IDT70V9279L6PRF8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 512KBIT 7.5NS 128TQFP
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 512Kb （32K x 16） 并联 7.5ns 128-TQFP（14x20）
  
  型号：70V9279L7PRFI8
  仓库库存编号：70V9279L7PRFI8-ND
  别名：IDT70V9279L7PRFI8
  IDT70V9279L7PRFI8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 512KBIT 7.5NS 128TQFP
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 512Kb （32K x 16） 并联 7.5ns 128-TQFP（14x20）
  
  型号：70V9279L7PRFGI8
  仓库库存编号：70V9279L7PRFGI8-ND
  别名：IDT70V9279L7PRFGI8
  IDT70V9279L7PRFGI8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 933MHZ 168FBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 933MHz 8ns 168-BGA
  
  型号：MT44K16M36RB-107E:A TR
  仓库库存编号：MT44K16M36RB-107E:A TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 800MHz 8ns 168-BGA
  
  型号：MT44K16M36RB-125F:A TR
  仓库库存编号：MT44K16M36RB-125F:A TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 933MHZ 168FBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 933MHz 8ns 168-BGA
  
  型号：MT44K32M18RB-107E:A TR
  仓库库存编号：MT44K32M18RB-107E:A TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 10ns 168-BGA
  
  型号：MT44K32M18RB-125E IT:A TR
  仓库库存编号：MT44K32M18RB-125E IT:A TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 8ns 168-BGA
  
  型号：MT44K32M18RB-125F:A TR
  仓库库存编号：MT44K32M18RB-125F:A TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 933MHZ 168FBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 933MHz 8ns 168-BGA
  
  型号：MT44K16M36RB-107E:A
  仓库库存编号：MT44K16M36RB-107E:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 800MHz 8ns 168-BGA
  
  型号：MT44K16M36RB-125F:A
  仓库库存编号：MT44K16M36RB-125F:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 933MHZ 168FBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 933MHz 8ns 168-BGA
  
  型号：MT44K32M18RB-107E:A
  仓库库存编号：MT44K32M18RB-107E:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 800MHZ 168FBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 800MHz 10ns 168-BGA
  
  型号：MT44K32M18RB-125E IT:A
  仓库库存编号：MT44K32M18RB-125E IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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