产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 576KBIT 4.2NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 576Kb (32K x 18) 并联 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3379S4BCG
仓库库存编号:
70V3379S4BCG-ND
别名:IDT70V3379S4BCG
IDT70V3379S4BCG-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 576KBIT 4.2NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 576Kb (16K x 36) 并联 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3569S4BC
仓库库存编号:
70V3569S4BC-ND
别名:IDT70V3569S4BC
IDT70V3569S4BC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 512KBIT 6.5NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 512Kb (32K x 16) 并联 6.5ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9279L6PRF
仓库库存编号:
70V9279L6PRF-ND
别名:IDT70V9279L6PRF
IDT70V9279L6PRF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 512KBIT 7.5NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 512Kb (32K x 16) 并联 7.5ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9279L7PRFI
仓库库存编号:
70V9279L7PRFI-ND
别名:IDT70V9279L7PRFI
IDT70V9279L7PRFI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 512KBIT 7.5NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 512Kb (32K x 16) 并联 7.5ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9279L7PRFGI
仓库库存编号:
70V9279L7PRFGI-ND
别名:IDT70V9279L7PRFGI
IDT70V9279L7PRFGI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 533MHz 15ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR
仓库库存编号:
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 533MHz 15ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36SJ-18 IT:B
仓库库存编号:
MT49H16M36SJ-18 IT:B-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 6ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V3389S6BF8
仓库库存编号:
70V3389S6BF8-ND
别名:IDT70V3389S6BF8
IDT70V3389S6BF8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 167MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 167MHz 3.4ns 165-FBGA(15x17)
型号:
CY7C1460AV33-167BZC
仓库库存编号:
CY7C1460AV33-167BZC-ND
别名:CY7C1460AV33167BZC
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 12NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 12ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9289L12PRF
仓库库存编号:
70V9289L12PRF-ND
别名:IDT70V9289L12PRF
IDT70V9289L12PRF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 12NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 12ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9389L12PRF
仓库库存编号:
70V9389L12PRF-ND
别名:IDT70V9389L12PRF
IDT70V9389L12PRF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 6ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V3389S6PRF8
仓库库存编号:
70V3389S6PRF8-ND
别名:IDT70V3389S6PRF8
IDT70V3389S6PRF8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 6ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3579S6BCI8
仓库库存编号:
70V3579S6BCI8-ND
别名:IDT70V3579S6BCI8
IDT70V3579S6BCI8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 450MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C2263KV18-450BZXI
仓库库存编号:
CY7C2263KV18-450BZXI-ND
别名:CY7C2263KV18450BZXI
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 450MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C2265KV18-450BZC
仓库库存编号:
CY7C2265KV18-450BZC-ND
别名:CY7C2265KV18450BZC
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3389S4BC8
仓库库存编号:
70V3389S4BC8-ND
别名:IDT70V3389S4BC8
IDT70V3389S4BC8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 4.2ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V3389S4BF8
仓库库存编号:
70V3389S4BF8-ND
别名:IDT70V3389S4BF8
IDT70V3389S4BF8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3579S4BC8
仓库库存编号:
70V3579S4BC8-ND
别名:IDT70V3579S4BC8
IDT70V3579S4BC8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 4.2ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V3579S4BF8
仓库库存编号:
70V3579S4BF8-ND
别名:IDT70V3579S4BF8
IDT70V3579S4BF8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 1067MHz 8ns 168-BGA
型号:
MT44K16M36RB-093E IT:A TR
仓库库存编号:
MT44K16M36RB-093E IT:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (32M x 18) 并联 1067MHz 8ns 168-BGA
型号:
MT44K32M18RB-093E IT:A TR
仓库库存编号:
MT44K32M18RB-093E IT:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 1067MHz 8ns 168-BGA
型号:
MT44K16M36RB-093E IT:A
仓库库存编号:
MT44K16M36RB-093E IT:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 1067MHz 8ns 168-BGA
型号:
MT44K16M36RB-093E IT:B TR
仓库库存编号:
MT44K16M36RB-093E IT:B TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 7NS 100TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 7ns 100-TQFP(14x14)
型号:
709099L7PF
仓库库存编号:
709099L7PF-ND
别名:IDT709099L7PF
IDT709099L7PF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 9ns 100-TQFP(14x14)
型号:
709099L9PFI
仓库库存编号:
709099L9PFI-ND
别名:IDT709099L9PFI
IDT709099L9PFI-ND
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