产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 576KBIT 5NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 576Kb (32K x 18) 并联 5ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V3379S5PRFI
仓库库存编号:
70V3379S5PRFI-ND
别名:IDT70V3379S5PRFI
IDT70V3379S5PRFI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 576KBIT 5NS 208QFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 576Kb (16K x 36) 并联 5ns 208-PQFP(28x28)
型号:
70V3569S5DRI
仓库库存编号:
70V3569S5DRI-ND
别名:IDT70V3569S5DRI
IDT70V3569S5DRI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 64GBIT 52VLGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb (8G x 8) 并联 52-VLGA(18x14)
型号:
MT29F64G08AEAAAC5-Z:A TR
仓库库存编号:
MT29F64G08AEAAAC5-Z:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 64GBIT 52VLGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb (8G x 8) 并联 52-VLGA(18x14)
型号:
MT29F64G08AEAAAC5-Z:A
仓库库存编号:
MT29F64G08AEAAAC5-Z:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb (64G x 8) 并联 167MHz
型号:
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
仓库库存编号:
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb (64G x 8) 并联 167MHz
型号:
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR
仓库库存编号:
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb (64G x 8) 并联 167MHz
型号:
MT29E512G08CMCCBH7-6:C
仓库库存编号:
MT29E512G08CMCCBH7-6:C-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 6ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3579S6BC
仓库库存编号:
800-1395-ND
别名:800-1395
IDT70V3579S6BC
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 6ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3389S6BC
仓库库存编号:
70V3389S6BC-ND
别名:IDT70V3389S6BC
IDT70V3389S6BC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 6ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V3389S6BF
仓库库存编号:
70V3389S6BF-ND
别名:IDT70V3389S6BF
IDT70V3389S6BF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 6ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V3579S6BF
仓库库存编号:
70V3579S6BF-ND
别名:IDT70V3579S6BF
IDT70V3579S6BF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 7.5NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 7.5ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9289L7PRF
仓库库存编号:
70V9289L7PRF-ND
别名:IDT70V9289L7PRF
IDT70V9289L7PRF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1MBIT 9NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 9ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9289L9PRFI
仓库库存编号:
70V9289L9PRFI-ND
别名:IDT70V9289L9PRFI
IDT70V9289L9PRFI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 7NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125M(64K x 18) 并联 7.5ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9389L7PRF
仓库库存编号:
70V9389L7PRF-ND
别名:IDT70V9389L7PRF
IDT70V9389L7PRF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 9NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 9ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V9389L9PRFI
仓库库存编号:
70V9389L9PRFI-ND
别名:IDT70V9389L9PRFI
IDT70V9389L9PRFI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 5ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V3389S5PRFI8
仓库库存编号:
70V3389S5PRFI8-ND
别名:IDT70V3389S5PRFI8
IDT70V3389S5PRFI8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 200MHz 3.1ns 165-TFBGA(13x15)
型号:
IS61NLP102436B-200B3LI-TR
仓库库存编号:
IS61NLP102436B-200B3LI-TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 333MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDP2B21M36A-333M3L
仓库库存编号:
IS61QDP2B21M36A-333M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 333MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDP2B22M18A-333M3L
仓库库存编号:
IS61QDP2B22M18A-333M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 400MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDP2B41M36A-400M3L
仓库库存编号:
IS61QDP2B41M36A-400M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 400MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDP2B42M18A-400M3L
仓库库存编号:
IS61QDP2B42M18A-400M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 333MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDPB21M36A-333M3L
仓库库存编号:
IS61QDPB21M36A-333M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 333MHz 8.4ns 165-LFBGA(13x15)
型号:
IS61QDPB22M18A-333M3L
仓库库存编号:
IS61QDPB22M18A-333M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 400MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDPB41M36A-400M3L
仓库库存编号:
IS61QDPB41M36A-400M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QUADP 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 400MHz 8.4ns 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61QDPB42M18A-400M3L
仓库库存编号:
IS61QDPB42M18A-400M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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