产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 64GBIT 100MHZ 132VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb (8G x 8) 并联 100MHz
型号:
MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:A
仓库库存编号:
MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb (64G x 8) 并联 166MHz
型号:
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C
仓库库存编号:
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 550MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 550MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C2270KV18-550BZXI
仓库库存编号:
CY7C2270KV18-550BZXI-ND
别名:CY7C2270KV18550BZXI
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (128K x 18) 并联 166MHz 3.6ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70T3399S166BC8
仓库库存编号:
70T3399S166BC8-ND
别名:IDT70T3399S166BC8
IDT70T3399S166BC8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (64K x 36) 并联 166MHz 3.6ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70T3589S166BC8
仓库库存编号:
70T3589S166BC8-ND
别名:IDT70T3589S166BC8
IDT70T3589S166BC8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (64K x 36) 并联 166MHz 3.6ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70T3589S166BF8
仓库库存编号:
70T3589S166BF8-ND
别名:IDT70T3589S166BF8
IDT70T3589S166BF8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 6ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V3389S6PRF
仓库库存编号:
70V3389S6PRF-ND
别名:IDT70V3389S6PRF
IDT70V3389S6PRF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208QFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 6ns 208-PQFP(28x28)
型号:
70V3579S6DR
仓库库存编号:
70V3579S6DR-ND
别名:IDT70V3579S6DR
IDT70V3579S6DR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 6ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3579S6BCI
仓库库存编号:
70V3579S6BCI-ND
别名:IDT70V3579S6BCI
IDT70V3579S6BCI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 72MBIT 300MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 72Mb (2M x 36) 并联 300MHz 165-LFBGA(13x15)
型号:
IS61DDB22M36A-300B4LI
仓库库存编号:
IS61DDB22M36A-300B4LI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 72MBIT 300MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 72Mb (4M x 18) 并联 300MHz 165-LFBGA(13x15)
型号:
IS61DDB24M18A-300B4LI
仓库库存编号:
IS61DDB24M18A-300B4LI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 72MBIT 300MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 72Mb (2M x 36) 并联 300MHz 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61DDB22M36A-300M3L
仓库库存编号:
IS61DDB22M36A-300M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 72MBIT 300MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 72Mb (4M x 18) 并联 300MHz 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61DDB24M18A-300M3L
仓库库存编号:
IS61DDB24M18A-300M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 72MBIT 300MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 72Mb (2M x 36) 并联 300MHz 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61DDB42M36A-300M3L
仓库库存编号:
IS61DDB42M36A-300M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 72MBIT 300MHZ 165BGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 72Mb (4M x 18) 并联 300MHz 165-LFBGA(15x17)
型号:
IS61DDB44M18A-300M3L
仓库库存编号:
IS61DDB44M18A-300M3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3389S4BC
仓库库存编号:
70V3389S4BC-ND
别名:IDT70V3389S4BC
IDT70V3389S4BC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3389S4BCG
仓库库存编号:
70V3389S4BCG-ND
别名:IDT70V3389S4BCG
IDT70V3389S4BCG-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3579S4BC
仓库库存编号:
70V3579S4BC-ND
别名:IDT70V3579S4BC
IDT70V3579S4BC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3579S4BCG
仓库库存编号:
70V3579S4BCG-ND
别名:IDT70V3579S4BCG
IDT70V3579S4BCG-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 4.2ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V3389S4BF
仓库库存编号:
70V3389S4BF-ND
别名:IDT70V3389S4BF
IDT70V3389S4BF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 4.2ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V3579S4BF
仓库库存编号:
70V3579S4BF-ND
别名:IDT70V3579S4BF
IDT70V3579S4BF-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 4.2NS 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 4.2ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V3579S4BFG
仓库库存编号:
70V3579S4BFG-ND
别名:IDT70V3579S4BFG
IDT70V3579S4BFG-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 550MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C2265KV18-550BZXI
仓库库存编号:
CY7C2265KV18-550BZXI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (128K x 18) 并联 133MHz 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3399S133BC8
仓库库存编号:
70V3399S133BC8-ND
别名:IDT70V3399S133BC8
IDT70V3399S133BC8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (128K x 18) 并联 133MHz 4.2ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V3399S133BF8
仓库库存编号:
70V3399S133BF8-ND
别名:IDT70V3399S133BF8
IDT70V3399S133BF8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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