产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 133MHZ 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (128K x 18) 并联 133MHz 4.2ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V3399S133PRF8
仓库库存编号:
70V3399S133PRF8-ND
别名:IDT70V3399S133PRF8
IDT70V3399S133PRF8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (64K x 36) 并联 133MHz 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V3589S133BCI8
仓库库存编号:
70V3589S133BCI8-ND
别名:IDT70V3589S133BCI8
IDT70V3589S133BCI8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (64K x 36) 并联 133MHz 4.2ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V3589S133BFI8
仓库库存编号:
70V3589S133BFI8-ND
别名:IDT70V3589S133BFI8
IDT70V3589S133BFI8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 208CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 4.5Mb (256K x 18) 并联 133MHz 4.2ns 208-CABGA(15x15)
型号:
70V7319S133BFI8
仓库库存编号:
70V7319S133BFI8-ND
别名:IDT70V7319S133BFI8
IDT70V7319S133BFI8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 4.5Mb (256K x 18) 并联 200MHz 3.4ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V7319S200BC8
仓库库存编号:
70V7319S200BC8-ND
别名:IDT70V7319S200BC8
IDT70V7319S200BC8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 4.5Mb (128K x 36) 并联 200MHz 3.4ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70V7599S200BC8
仓库库存编号:
70V7599S200BC8-ND
别名:IDT70V7599S200BC8
IDT70V7599S200BC8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 250MHz 2.8ns 165-TFBGA(13x15)
型号:
IS61VPS102436B-250B3L-TR
仓库库存编号:
IS61VPS102436B-250B3L-TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 250MHz 2.8ns 165-TFBGA(13x15)
型号:
IS61NLP204818B-250B3L-TR
仓库库存编号:
IS61NLP204818B-250B3L-TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (64K x 18) 并联 5ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V3389S5PRFI
仓库库存编号:
70V3389S5PRFI-ND
别名:IDT70V3389S5PRFI
IDT70V3389S5PRFI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208QFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 1.125Mb (32K x 36) 并联 5ns 208-PQFP(28x28)
型号:
70V3579S5DRI
仓库库存编号:
70V3579S5DRI-ND
别名:IDT70V3579S5DRI
IDT70V3579S5DRI-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1TBIT 167MHZ 152LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Tb (128G x 8) 并联 166MHz
型号:
MT29F1T08CPCABH8-6:A TR
仓库库存编号:
MT29F1T08CPCABH8-6:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512GBIT 100MHZ 100LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb (64G x 8) 并联 100MHz 100-LBGA(12x18)
型号:
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A
仓库库存编号:
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512GBIT 100MHZ 100LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb (64G x 8) 并联 100MHz 100-LBGA(12x18)
型号:
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A TR
仓库库存编号:
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 600MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 600MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C2263XV18-600BZXC
仓库库存编号:
CY7C2263XV18-600BZXC-ND
别名:CY7C2263XV18600BZXC
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 600MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 600MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C2265XV18-600BZXC
仓库库存编号:
CY7C2265XV18-600BZXC-ND
别名:CY7C2265XV18600BZXC
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 600MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 600MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C2268XV18-600BZXC
仓库库存编号:
CY7C2268XV18-600BZXC-ND
别名:CY7C2268XV18600BZXC
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 600MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 600MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C2270XV18-600BZXC
仓库库存编号:
CY7C2270XV18-600BZXC-ND
别名:CY7C2270XV18600BZXC
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 166MHZ 128TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (128K x 18) 并联 166MHz 3.6ns 128-TQFP(14x20)
型号:
70V3399S166PRF8
仓库库存编号:
70V3399S166PRF8-ND
别名:IDT70V3399S166PRF8
IDT70V3399S166PRF8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (128K x 18) 并联 133MHz 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70T3399S133BC
仓库库存编号:
70T3399S133BC-ND
别名:IDT70T3399S133BC
IDT70T3399S133BC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256CABGA
详细描述:SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 2Mb (64K x 36) 并联 133MHz 4.2ns 256-CABGA(17x17)
型号:
70T3589S133BC
仓库库存编号:
70T3589S133BC-ND
别名:IDT70T3589S133BC
IDT70T3589S133BC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb (1M x 36) 并联 250MHz 2.8ns 165-TFBGA(13x15)
型号:
IS61VPS102436B-250B3L
仓库库存编号:
IS61VPS102436B-250B3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 250MHz 2.8ns 165-TFBGA(13x15)
型号:
IS61NLP204818B-250B3L
仓库库存编号:
IS61NLP204818B-250B3L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 72MBIT 7.5NS 100TQFP
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 72Mb (2M x 36) 并联 117MHz 7.5ns 100-LQFP(14x20)
型号:
IS61LF204836B-7.5TQLI-TR
仓库库存编号:
IS61LF204836B-7.5TQLI-TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 72MBIT 166MHZ 100LQFP
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 72Mb (2M x 36) 并联 166MHz 3.8ns 100-LQFP(14x20)
型号:
IS61LPS204836B-166TQLI-TR
仓库库存编号:
IS61LPS204836B-166TQLI-TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 72MBIT 166MHZ 100LQFP
详细描述:SRAM - 同步 存储器 IC 72Mb (2M x 36) 并联 166MHz 3.8ns 100-TQFP(14x20)
型号:
IS61NLP204836B-166TQLI-TR
仓库库存编号:
IS61NLP204836B-166TQLI-TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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