以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G16ABADAH4:D
  仓库库存编号：MT29F4G16ABADAH4:D-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G16ABBDAH4:D
  仓库库存编号：MT29F4G16ABBDAH4:D-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G08ABADAH4:D TR
  仓库库存编号：MT29F4G08ABADAH4:D TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G08ABBDAH4:D TR
  仓库库存编号：MT29F4G08ABBDAH4:D TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G16ABADAH4:D TR
  仓库库存编号：MT29F4G16ABADAH4:D TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G16ABBDAH4:D TR
  仓库库存编号：MT29F4G16ABBDAH4:D TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS45S16160J-7TLA1
  仓库库存编号：IS45S16160J-7TLA1-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （4M x 32） 并联 5.4ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42S32400F-7BL
  仓库库存编号：IS42S32400F-7BL-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 6ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42SM16800H-75BLI-TR
  仓库库存编号：IS42SM16800H-75BLI-TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 6ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42RM16800H-75BLI-TR
  仓库库存编号：IS42RM16800H-75BLI-TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42S32200L-6B
  仓库库存编号：IS42S32200L-6B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 86-TSOP II
  
  型号：IS45S32200L-7TLA2
  仓库库存编号：IS45S32200L-7TLA2-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Everspin Technologies Inc.
  IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
  详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） SPI 8-DFN-EP，大型标志（5x6）
  
  型号：MR25H10CDCR
  仓库库存编号：MR25H10CDCR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Everspin Technologies Inc.
  IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
  详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） SPI 8-DFN-EP，小标志（5x6）
  
  型号：MR25H10CDFR
  仓库库存编号：MR25H10CDFR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 5.5ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS42VM16800H-6BLI-TR
  仓库库存编号：IS42VM16800H-6BLI-TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
  
  型号：W632GG8KB12I TR
  仓库库存编号：W632GG8KB12I TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-WBGA（10.5x8）
  
  型号：W632GG8KB15I TR
  仓库库存编号：W632GG8KB15I TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
  
  型号：W632GG6KB12I TR
  仓库库存编号：W632GG6KB12I TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
  
  型号：W632GG6KB15I TR
  仓库库存编号：W632GG6KB15I TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
  
  型号：W632GU6KB12I TR
  仓库库存编号：W632GU6KB12I TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 20ns 96-WBGA（9x13）
  
  型号：W632GU6KB15I TR
  仓库库存编号：W632GU6KB15I TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 5.4ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42S32200L-6BI-TR
  仓库库存编号：IS42S32200L-6BI-TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS45S16400J-6BLA2-TR
  仓库库存编号：IS45S16400J-6BLA2-TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Cypress Semiconductor Corp
  IC NVSRAM 64KBIT 3.4MHZ 8SOIC
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） I2C 8-SOIC
  
  型号：CY14ME064J2-SXQ
  仓库库存编号：CY14ME064J2-SXQ-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Cypress Semiconductor Corp
  IC NVSRAM 64KBIT 40MHZ 8SOIC
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） SPI 8-SOIC
  
  型号：CY14ME064Q2A-SXQ
  仓库库存编号：CY14ME064Q2A-SXQ-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
• 无铅
• 搜索