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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 8GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （1G x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F8G08ADBDAH4-IT:D TR
  仓库库存编号：MT29F8G08ADBDAH4-IT:D TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 8GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （512M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F8G16ADADAH4-IT:D TR
  仓库库存编号：MT29F8G16ADADAH4-IT:D TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 8GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （512M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR
  仓库库存编号：MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SRAM 2MBIT 8.5NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 2Mb （64K x 36） 并联 90MHz 8.5ns 100-TQFP（14x20）
  
  型号：IS61LF6436A-8.5TQI
  仓库库存编号：IS61LF6436A-8.5TQI-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SRAM 2MBIT 133MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 2Mb （64K x 32） 并联 133MHz 4ns 100-TQFP（14x20）
  
  型号：IS61LP6432A-133TQ
  仓库库存编号：IS61LP6432A-133TQ-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SRAM 2MBIT 133MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 2Mb （64K x 36） 并联 133MHz 4ns 100-TQFP（14x20）
  
  型号：IS61LP6436A-133TQ
  仓库库存编号：IS61LP6436A-133TQ-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 9MBIT 8NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 9Mb （512K x 18） 并联 100MHz 8ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：71V67903S80PFG
  仓库库存编号：71V67903S80PFG-ND
  别名：IDT71V67903S80PFG
  IDT71V67903S80PFG-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 7.5NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 117MHz 7.5ns 100-TQFP（14x20）
  
  型号：IS61LF12836A-7.5TQI
  仓库库存编号：IS61LF12836A-7.5TQI-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 200MHz 3.1ns 100-TQFP（14x20）
  
  型号：IS61LPS12836A-200TQI
  仓库库存编号：IS61LPS12836A-200TQI-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （256K x 18） 并联 200MHz 3.1ns 100-TQFP（14x20）
  
  型号：IS61LPS25618A-200TQI
  仓库库存编号：IS61LPS25618A-200TQI-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 117MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 117MHz 7.5ns 100-TQFP（14x20）
  
  型号：IS61NLF12836A-7.5TQI
  仓库库存编号：IS61NLF12836A-7.5TQI-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （256K x 18） 并联 200MHz 3.1ns 100-TQFP（14x20）
  
  型号：IS61NLP25618A-200TQI
  仓库库存编号：IS61NLP25618A-200TQI-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 100TQFP
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 200MHz 3.1ns 100-TQFP（14x20）
  
  型号：IS61NLP12836B-200TQI
  仓库库存编号：IS61NLP12836B-200TQI-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 119BGA
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 200MHz 3.1ns 119-PBGA（14x22）
  
  型号：71V25761S200BG8
  仓库库存编号：71V25761S200BG8-ND
  别名：IDT71V25761S200BG8
  IDT71V25761S200BG8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 119BGA
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 200MHz 3.1ns 119-PBGA（14x22）
  
  型号：71V35761SA200BG8
  仓库库存编号：71V35761SA200BG8-ND
  别名：IDT71V35761SA200BG8
  IDT71V35761SA200BG8-ND
  
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 119BGA
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 200MHz 3.1ns 119-PBGA（14x22）
  
  型号：71V35761SA200BGG8
  仓库库存编号：71V35761SA200BGG8-ND
  别名：IDT71V35761SA200BGG8
  IDT71V35761SA200BGG8-ND
  
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 143MHz 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS45S16160G-7BLA2
  仓库库存编号：IS45S16160G-7BLA2-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 86TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 143MHz 5.4ns 86-TSOP II
  
  型号：IS45S32800J-7TLA1
  仓库库存编号：IS45S32800J-7TLA1-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 64GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb （8G x 8） 并联
  
  型号：MT29F64G08CBABAWP-IT:B
  仓库库存编号：MT29F64G08CBABAWP-IT:B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 64GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb （8G x 8） 并联
  
  型号：MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR
  仓库库存编号：MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
  
  型号：IS45S16160G-7CTLA2
  仓库库存编号：IS45S16160G-7CTLA2-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
  详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 800MHz 13.75ns 96-FBGA（8x14）
  
  型号：MT41K128M16JT-125 AAT:K
  仓库库存编号：557-1751-ND
  别名：557-1751
  MT41K128M16JT-125 AAT:K-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 64GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb （8G x 8） 并联 48-TSOP I
  
  型号：MT29F64G08CFACAWP-Z:C
  仓库库存编号：MT29F64G08CFACAWP-Z:C-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 64GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb （8G x 8） 并联 48-TSOP I
  
  型号：MT29F64G08CFACAWP-Z:C TR
  仓库库存编号：MT29F64G08CFACAWP-Z:C TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
  IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 165CABGA
  详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 200MHz 3.1ns 165-CABGA（13x15）
  
  型号：71V35761SA200BQG8
  仓库库存编号：71V35761SA200BQG8-ND
  别名：IDT71V35761SA200BQG8
  IDT71V35761SA200BQG8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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