产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 1MBIT 25NS 48FBGA
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 25ns 48-FBGA（6x10）
型号：
CY14V101NA-BA25XI
仓库库存编号：
CY14V101NA-BA25XI-ND
别名：CY14V101NABA25XI
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 32KBIT 25NS 100TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 32Kb （2K x 16） 并联 25ns 100-TQFP（14x14）
型号：
7133LA25PFI
仓库库存编号：
800-2714-ND
别名：IDT7133LA25PFI
IDT7133LA25PFI-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML01G200BHI500
仓库库存编号：
428-4245-ND
别名：428-4245
S34ML01G200BHI500-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML01G200BHA000
仓库库存编号：
428-4244-ND
别名：428-4244
S34ML01G200BHA000-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 2GBIT 25NS 63BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML02G200BHI500
仓库库存编号：
428-4254-ND
别名：428-4254
Q9238268
S34ML02G200BHI500-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 2GBIT 25NS 63BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML02G104BHA013
仓库库存编号：
428-4252-1-ND
别名：428-4252-1
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 48-TSOP I
型号：
S34ML01G100TFB000
仓库库存编号：
428-4242-ND
别名：428-4242
S34ML01G100TFB000-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 2GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 48-TSOP I
型号：
S34ML02G100TFI900
仓库库存编号：
428-4251-ND
别名：428-4251
S34ML02G100TFI900-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
FLASH MEMORY NAND
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 48-TSOP I
型号：
S34ML02G204TFI010
仓库库存编号：
428-4256-ND
别名：428-4256
S34ML02G204TFI010-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 2GBIT 25NS 63BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML02G100BHA000
仓库库存编号：
428-4249-ND
别名：428-4249
S34ML02G100BHA000-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 2GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 48-TSOP I
型号：
S34ML02G100TFB000
仓库库存编号：
428-4250-ND
别名：428-4250
S34ML02G100TFB000-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 4GBIT 25NS 63BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML04G104BHI010
仓库库存编号：
428-4261-ND
别名：428-4261
S34ML04G104BHI010-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 4GBIT 25NS 63BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML04G104BHV010
仓库库存编号：
428-4262-ND
别名：428-4262
S34ML04G104BHV010-ND
S99-50558
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 4GBIT 25NS 63BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML04G200BHA000
仓库库存编号：
428-4263-ND
别名：428-4263
S34ML04G200BHA000-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 4GBIT 25NS 63BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML04G200BHB000
仓库库存编号：
428-4264-ND
别名：428-4264
S34ML04G200BHB000-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （1G x 8） 并联 63-BGA（11x9）
型号：
S34ML08G201BHV000
仓库库存编号：
428-4271-ND
别名：428-4271
S34ML08G201BHV000-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 64KBIT 25NS 100TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （4K x 16） 并联 25ns 100-TQFP（14x14）
型号：
CY7C024E-25AXC
仓库库存编号：
428-3068-ND
别名：428-3068
CY7C024E25AXC
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 1MBIT 25NS 48FBGA
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 25ns 48-FBGA（6x10）
型号：
CY14V101LA-BA25XI
仓库库存编号：
428-4299-ND
别名：428-4299
CY14V101LA-BA25XI-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 1MBIT 25NS 48SSOP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 25ns 48-SSOP
型号：
CY14B101KA-SP45XI
仓库库存编号：
428-4203-ND
别名：428-4203
CY14B101KA-SP45XI-ND
CY14B101KASP45XI
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 25ns 48-TSOP I
型号：
TC58BVG0S3HTAI0
仓库库存编号：
TC58BVG0S3HTAI0-ND
别名：TC58BVG0S3HTAI0B4H
TC58BVG0S3HTAI0YCJ
TC58BVG0S3HTAI0YCL
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 63TFBGA
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 25ns 63-TFBGA（9x11）
型号：
TC58NVG0S3HBAI4
仓库库存编号：
TC58NVG0S3HBAI4-ND
别名：TC58NVG0S3HBAI4JDH
TC58NVGOS3HBAI4JDH
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 25ns 67-VFBGA（6.5x8）
型号：
TC58BYG1S3HBAI6
仓库库存编号：
TC58BYG1S3HBAI6-ND
别名：TC58BYG1S3HBAI6JDH
TC58BYG1S3HBAI6YCL
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 25ns 67-VFBGA（6.5x8）
型号：
TC58NYG1S3HBAI6
仓库库存编号：
TC58NYG1S3HBAI6-ND
别名：TC58NYG1S3HBAI6JDH
TC58NYG1S3HBAI6YCL
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 25ns 67-VFBGA（6.5x8）
型号：
TC58NVG1S3HBAI6
仓库库存编号：
TC58NVG1S3HBAI6-ND
别名：TC58NVG1S3HBAI6JD0
TC58NVG1S3HBAI6JDH
TC58NVG1S3HBAI6YCL
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 48-TSOP I
型号：
S34ML01G100TFI003
仓库库存编号：
1274-1070-1-ND
别名：1274-1070-1
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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