规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD16411Q3
仓库库存编号：
296-24255-1-ND
别名：296-24255-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16406Q3
仓库库存编号：
296-24251-1-ND
别名：296-24251-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16413Q5A
仓库库存编号：
296-24524-1-ND
别名：296-24524-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16403Q5A
仓库库存编号：
296-24249-1-ND
别名：296-24249-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16409Q3
仓库库存编号：
296-24253-1-ND
别名：296-24253-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16A（Ta），59A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16410Q5A
仓库库存编号：
296-24254-1-ND
别名：296-24254-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 81.7A（Ta）, 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA20DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA20DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIRA20DP-T1-RE3CT
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），52A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16412Q5A
仓库库存编号：
296-24256-1-ND
别名：296-24256-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），81A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16404Q5A
仓库库存编号：
296-24250-1-ND
别名：296-24250-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），113A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16408Q5C
仓库库存编号：
296-25647-1-ND
别名：296-25647-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），113A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16408Q5
仓库库存编号：
296-25321-1-ND
别名：296-25321-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16407Q5
仓库库存编号：
296-24252-1-ND
别名：296-24252-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16407Q5C
仓库库存编号：
296-25664-1-ND
别名：296-25664-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16401Q5
仓库库存编号：
296-24525-1-ND
别名：296-24525-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5
仓库库存编号：
296-30139-1-ND
别名：296-30139-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16414Q5
仓库库存编号：
296-24257-1-ND
别名：296-24257-1
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
含铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA26DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA26DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIRA26DP-T1-RE3CT
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA32DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA32DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIRA32DP-T1-RE3CT
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） LFPAK
型号：
RJK0305DPB-02#J0
仓库库存编号：
RJK0305DPB-02#J0TR-ND
别名：RJK0305DPB-02#J0-ND
RJK0305DPB-02#J0TR
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） 5-LFPAK
型号：
RJK0301DPB-02#J0
仓库库存编号：
RJK0301DPB-02#J0-ND
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16401Q5T
仓库库存编号：
CSD16401Q5T-ND
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5T
仓库库存编号：
CSD16415Q5T-ND
规格：Vgs（最大值） +16V，-12V,
无铅
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