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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK14A65W5,S5X
  仓库库存编号：TK14A65W5S5X-ND
  别名：TK14A65W5,S5X(M
  TK14A65W5,S5X-ND
  TK14A65W5S5X
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP15N40
  仓库库存编号：FDP15N40-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP13N50
  仓库库存编号：FQP13N50-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP14N60P
  仓库库存编号：IXFP14N60P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ36N30P
  仓库库存编号：IXTQ36N30P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP22N60P3
  仓库库存编号：IXFP22N60P3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 330W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4227PBF
  仓库库存编号：IRFP4227PBF-ND
  别名：SP001560510
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ22N50P
  仓库库存编号：IXTQ22N50P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ460P2
  仓库库存编号：IXTQ460P2-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH22N50P
  仓库库存编号：IXFH22N50P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6015ANX
  仓库库存编号：R6015ANX-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ26N50P
  仓库库存编号：IXTQ26N50P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ200N10T
  仓库库存编号：IXTQ200N10T-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP33N60E-GE3-ND
  别名：SIHP33N60EGE3
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT8M100B
  仓库库存编号：APT8M100B-ND
  别名：APT8M100BMI
  APT8M100BMI-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH26N50P3
  仓库库存编号：IXFH26N50P3-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N50P
  仓库库存编号：IXFH30N50P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 42A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH42N50P2
  仓库库存编号：IXFH42N50P2-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ36N50P
  仓库库存编号：IXTQ36N50P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 42A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH42N60P3
  仓库库存编号：IXFH42N60P3-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N60P3
  仓库库存编号：IXFQ50N60P3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W,S1F
  仓库库存编号：TK35N65WS1F-ND
  别名：TK35N65W,S1F(S
  TK35N65W,S1F-ND
  TK35N65WS1F
  
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N60P
  仓库库存编号：IXTH30N60P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N50P
  仓库库存编号：IXFH36N50P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 42A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT42N50P2
  仓库库存编号：IXFT42N50P2-ND
  
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