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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP8N50D-E3
仓库库存编号:
SIHP8N50D-E3-ND
别名:SIHP8N50D-E3CT
SIHP8N50D-E3CT-ND
SIHP8N50DE3
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF4N90K5
仓库库存编号:
497-17071-ND
别名:497-17071
规格:Vgs(最大值) ±30V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF7LN80K5
仓库库存编号:
497-16492-5-ND
别名:497-16492-5
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP10N40D-E3
仓库库存编号:
SIHP10N40D-E3-ND
别名:SIHP10N40DE3
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 104W(Tc) TO-220
型号:
AOT7S65L
仓库库存编号:
785-1516-5-ND
别名:AOT7S65L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB33N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB33N15DPBF-ND
别名:*IRFB33N15DPBF
SP001566470
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 195W(Tc) I2PAK
型号:
FQI13N50CTU
仓库库存编号:
FQI13N50CTU-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 22A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX220N25
仓库库存编号:
RCX220N25-ND
别名:RCX220N25CT
RCX220N25CT-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 80W(Tc) TO-220
型号:
IXTP4N65X2
仓库库存编号:
IXTP4N65X2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB12N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N60E-GE3-ND
别名:SIHB12N60EGE3
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP7N60E-GE3-ND
别名:SIHP7N60EGE3
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 59W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF8N80CYDTU
仓库库存编号:
FQPF8N80CYDTU-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU6N90K5
仓库库存编号:
497-17076-ND
别名:497-17076
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 80W(Tc) TO-263
型号:
IXTA4N65X2
仓库库存编号:
IXTA4N65X2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 41A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB41N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB41N15DPBF-ND
别名:*IRFB41N15DPBF
SP001575564
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB23N20DPBF-ND
别名:*IRFB23N20DPBF
SP001564048
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9N80K5
仓库库存编号:
497-16493-5-ND
别名:497-16493-5
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY8N65X2
仓库库存编号:
IXTY8N65X2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP6N90K5
仓库库存编号:
497-17074-ND
别名:497-17074
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF7N60E-E3
仓库库存编号:
SIHF7N60E-E3-ND
别名:SIHF7N60EE3
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N65X2M
仓库库存编号:
IXTP8N65X2M-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:通孔 N 沟道 TO-220FP
型号:
STF6N90K5
仓库库存编号:
497-17073-ND
别名:497-17073
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA05N100
仓库库存编号:
IXTA05N100-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 35W(Tc) TO-220FM
型号:
R8002ANX
仓库库存编号:
R8002ANX-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) I2PAK
型号:
STI6N90K5
仓库库存编号:
497-17075-ND
别名:497-17075
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