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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB11NK50ZT4
  仓库库存编号：497-2451-1-ND
  别名：497-2451-1
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：TK16E60W5,S1VX
  仓库库存编号：TK16E60W5S1VX-ND
  别名：TK16E60W5,S1VX(S
  TK16E60W5S1VX
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF22N30
  仓库库存编号：FQPF22N30-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA14N60P3
  仓库库存编号：IXFA14N60P3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF17N40T
  仓库库存编号：FQPF17N40T-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK14C65W,S1Q
  仓库库存编号：TK14C65WS1Q-ND
  别名：TK14C65W,S1Q(S
  TK14C65W,S1Q(S2
  TK14C65W,S1Q-ND
  TK14C65WS1Q
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 266W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB20S60L
  仓库库存编号：785-1247-1-ND
  别名：785-1247-1
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：R6012FNJTL
  仓库库存编号：R6012FNJTLCT-ND
  别名：R6012FNJTLCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP20N50P3M
  仓库库存编号：IXFP20N50P3M-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP450P2
  仓库库存编号：IXTP450P2-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 15A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 50W（Tc） LPTS
  
  型号：R6015FNJTL
  仓库库存编号：R6015FNJTLCT-ND
  别名：R6015FNJTLCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK15A60U(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK15A60U(STA4QM)-ND
  别名：TK15A60U(Q)
  TK15A60U(Q,M)
  TK15A60U(QM)
  TK15A60U(QM)-ND
  TK15A60U(STA4QM)
  TK15A60UQ
  TK15A60UQ-ND
  TK15A60USTA4QM
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP20N50P3
  仓库库存编号：IXFP20N50P3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A60U(Q,M)
  仓库库存编号：TK12A60U(QM)-ND
  别名：TK12A60U(Q)
  TK12A60U(Q)-ND
  TK12A60U(QM)
  TK12A60UQ-ND
  TK12A60UQM
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA7N60P3
  仓库库存编号：IXFA7N60P3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP16N50P3
  仓库库存编号：IXFP16N50P3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ450P2
  仓库库存编号：IXTQ450P2-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ20N50P3
  仓库库存编号：IXFQ20N50P3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） LPTS
  
  型号：R6020FNJTL
  仓库库存编号：R6020FNJTLCT-ND
  别名：R6020FNJTLCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA460P2
  仓库库存编号：IXTA460P2-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 不受无铅要求限制
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP16N60P3
  仓库库存编号：IXFP16N60P3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：TK16E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK16E60WS1VX-ND
  别名：TK16E60W,S1VX(S
  TK16E60WS1VX
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65E-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH450P2
  仓库库存编号：IXTH450P2-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65EF-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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