规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ22N60P3
仓库库存编号:
IXFQ22N60P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) I2PAK
型号:
TK16C60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK16C60WS1VQ-ND
别名:TK16C60W,S1VQ(S
TK16C60WS1VQ
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 227W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N65E-GE3CT-ND
别名:SIHB22N65E-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-247
型号:
TK16N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK16N60WS1VF-ND
别名:TK16N60W,S1VF(S
TK16N60WS1VF
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK16J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK16J60WS1VQ-ND
别名:TK16J60W,S1VQ(O
TK16J60WS1VQ
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 695W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ28N60P3
仓库库存编号:
IXFQ28N60P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 165W(Tc) I2PAK
型号:
TK20C60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK20C60WS1VQ-ND
别名:TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 156W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH14N65EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH14N65EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH14N65EF-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3892
仓库库存编号:
2SK3892-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 174W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH21N60EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH21N60EF-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ30N60X
仓库库存编号:
IXFQ30N60X-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 312W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB36N60NTM
仓库库存编号:
FCB36N60NTMCT-ND
别名:FCB36N60NTMCT
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 695W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH34N50P3
仓库库存编号:
IXFH34N50P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 695W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ34N50P3
仓库库存编号:
IXFQ34N50P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH26N60EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH26N60EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH26N60EF-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 960W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ50N50P3
仓库库存编号:
IXFQ50N50P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH24N65EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH24N65EF-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-268
型号:
IXFT60N50P3
仓库库存编号:
IXFT60N50P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-263
型号:
IXTA05N100HV
仓库库存编号:
IXTA05N100HV-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 960W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N50P3
仓库库存编号:
IXFT50N50P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N50P
仓库库存编号:
IXFX64N50P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 780W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT43M60B2
仓库库存编号:
APT43M60B2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 690W(Tc) TO-268
型号:
IXFT15N100Q3
仓库库存编号:
IXFT15N100Q3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 780W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT43F60B2
仓库库存编号:
APT43F60B2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 400W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR15N100Q3
仓库库存编号:
IXFR15N100Q3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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