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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 61.8A(Ta) 400W(Tc) TO-247
型号:
TK62N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK62N60WS1VF-ND
别名:TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 1890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB110N60P3
仓库库存编号:
IXFB110N60P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 1000W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK24N100Q3
仓库库存编号:
IXFK24N100Q3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB44N100Q3
仓库库存编号:
IXFB44N100Q3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 44A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT5010JVRU2
仓库库存编号:
APT5010JVRU2-ND
别名:APT5010JVRU2MI
APT5010JVRU2MI-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB70N60Q2
仓库库存编号:
IXFB70N60Q2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 103A(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT100M50J
仓库库存编号:
APT100M50J-ND
别名:APT100M50JMI
APT100M50JMI-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 35A(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT34M120J
仓库库存编号:
APT34M120J-ND
别名:APT34M120JMI
APT34M120JMI-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 30A(Tc) 800W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN30N100L
仓库库存编号:
IXTN30N100L-ND
别名:Q3424174
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 37A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10021JFLL
仓库库存编号:
APT10021JFLL-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 38W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL4LN80K5
仓库库存编号:
497-17146-1-ND
别名:497-17146-1
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V KPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD4LN80K5
仓库库存编号:
497-17290-1-ND
别名:497-17290-1
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD8N60DM2
仓库库存编号:
497-16930-1-ND
别名:497-16930-1
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD4N90K5
仓库库存编号:
497-17069-1-ND
别名:497-17069-1
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 8.35W(Ta) ITO-220AB
型号:
DMG4N65CTI
仓库库存编号:
DMG4N65CTIDI-ND
别名:DMG4N65CTIDI
规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB6N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB6N65E-GE3CT-ND
别名:SIHB6N65E-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU3LN80K5
仓库库存编号:
497-17295-ND
别名:497-17295
STU3LN80K5-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 2.19W(Ta) TO-220-3
型号:
DMG4N65CT
仓库库存编号:
DMG4N65CTDI-ND
别名:DMG4N65CTDI
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP4LN80K5
仓库库存编号:
497-17294-ND
别名:497-17294
STP4LN80K5-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 30W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF5N50D-E3
仓库库存编号:
SIHF5N50D-E3-ND
别名:SIHF5N50D-E3CT
SIHF5N50D-E3CT-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT12N60
仓库库存编号:
785-1192-5-ND
别名:785-1192-5
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 13W(Tc) ITO-220AB
型号:
DMG9N65CTI
仓库库存编号:
DMG9N65CTIDI-ND
别名:DMG9N65CTIDI
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASPBF
仓库库存编号:
IRFBC30ASPBF-ND
别名:*IRFBC30ASPBF
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-252
型号:
IXTY2N65X2
仓库库存编号:
IXTY2N65X2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N65X2
仓库库存编号:
IXTP8N65X2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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