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• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 260A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN320N17T2
  仓库库存编号：IXFN320N17T2-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 178A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN200N10L2
  仓库库存编号：IXTN200N10L2-ND
  别名：624413
  Q5211084
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 75A（Tc） 560W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXKN75N60C
  仓库库存编号：IXKN75N60C-ND
  别名：498718
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N450HV
  仓库库存编号：IXTT1N450HV-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 230A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN230N10
  仓库库存编号：IXFN230N10-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF1N450
  仓库库存编号：IXTF1N450-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 220W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXTL2N450
  仓库库存编号：IXTL2N450-ND
  别名： 627941
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
  详细描述：底座安装 N 沟道 1220A（Tc） Y3-Li
  
  型号：VMO1200-01F
  仓库库存编号：VMO1200-01F-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 200mW（Ta） SST3
  
  型号：RK7002BMT116
  仓库库存编号：RK7002BMT116CT-ND
  别名：RK7002BMT116CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.2A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-23
  
  型号：T2N7002AK,LM
  仓库库存编号：T2N7002AKLMCT-ND
  别名：T2N7002AKLM(BCT
  T2N7002AKLM(BCT-ND
  T2N7002AKLMCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：T2N7002BK,LM
  仓库库存编号：T2N7002BKLMCT-ND
  别名：T2N7002BKLMCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V .115A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Tc） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2V7002LT3G
  仓库库存编号：2V7002LT3GOSCT-ND
  别名：2V7002LT3GOSCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3J15FV,L3F
  仓库库存编号：SSM3J15FVL3FCT-ND
  别名：SSM3J15FVL3FCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：2N7002K-7
  仓库库存编号：2N7002K-7DICT-ND
  别名：2N7002K-7-DICT
  2N7002K-7-DICT-ND
  2N7002K-7DICT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180mA（Ta） 260mW（Ta），1.1W（Tc） SOT-323-3
  
  型号：NX3020NAKW,115
  仓库库存编号：1727-1288-1-ND
  别名：1727-1288-1
  568-10508-1
  568-10508-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138L
  仓库库存编号：BSS138LCT-ND
  别名：BSS138LCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123L
  仓库库存编号：BSS123LCT-ND
  别名：BSS123LCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K15AFU,LF
  仓库库存编号：SSM3K15AFULFCT-ND
  别名：SSM3K15AFULFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN63D8L-7
  仓库库存编号：DMN63D8L-7DICT-ND
  别名：DMN63D8L-7DICT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 430mW（Ta） X1-DFN1006-3
  
  型号：DMN65D8LFB-7B
  仓库库存编号：DMN65D8LFB-7BDICT-ND
  别名：DMN65D8LFB-7BDICT
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Tc） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2V7002LT1G
  仓库库存编号：2V7002LT1GOSCT-ND
  别名：2V7002LT1GOSCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Ta） 300mW（Tj） SOT-23
  
  型号：2V7002KT1G
  仓库库存编号：2V7002KT1GOSCT-ND
  别名：2V7002KT1GOSCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 350mW（Ta），1.14W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BSS138P,215
  仓库库存编号：1727-1142-1-ND
  别名：1727-1142-1
  568-10308-1
  568-10308-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3K15AMFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3K15AMFVL3FCT-ND
  别名：SSM3K15AMFVL3FCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123-7-F
  仓库库存编号：BSS123-FDICT-ND
  别名：BSS123-FDICT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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