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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223
型号：
ZVNL110GTA
仓库库存编号：
ZVNL110GCT-ND
别名：ZVNL110G
ZVNL110GCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7119DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7119DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7119DN-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Tc） 760mW（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2337DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2337DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2337DS-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ858AEP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ858AEP-T1_GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC067N06LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC067N06LS3GATMA1CT-ND
别名：BSC067N06LS3 GINCT
BSC067N06LS3 GINCT-ND
BSC067N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 166W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R4-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1861-1-ND
别名：1727-1861-1
568-11557-1
568-11557-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS270
仓库库存编号：
BS270FS-ND
别名：BS270-ND
BS270FS
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
型号：
STD20NF06T4
仓库库存编号：
497-6561-1-ND
别名：497-6561-1
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3692
仓库库存编号：
FDS3692CT-ND
别名：FDS3692CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
型号：
SI4386DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4386DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4386DY-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4464DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4464DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4464DY-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA7632
仓库库存编号：
FDMA7632CT-ND
别名：FDMA7632CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7309DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7309DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7309DN-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7309DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7309DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7309DN-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），45A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC196N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC196N10NSGATMA1CT-ND
别名：BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GCT-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17527Q5A
仓库库存编号：
296-29021-1-ND
别名：296-29021-1
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS7672AS
仓库库存编号：
FDMS7672ASCT-ND
别名：FDMS7672ASCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
LND150N3-G
仓库库存编号：
LND150N3-G-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），85A（Tc） 3.2W（Ta）, 55W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS5C454NLTAG
仓库库存编号：
NTTFS5C454NLTAGOSCT-ND
别名：NTTFS5C454NLTAGOSCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ067N06LS3 G
仓库库存编号：
BSZ067N06LS3GINCT-ND
别名：BSZ067N06LS3GINCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17510Q5A
仓库库存编号：
296-27792-1-ND
别名：296-27792-1
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 41W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN022-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7117-1-ND
别名：1727-7117-1
568-9487-1
568-9487-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP149H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP149H6327XTSA1CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.2W（Ta），37W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17578Q3AT
仓库库存编号：
296-38462-1-ND
别名：296-38462-1
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 135mA（Tj） 1.3W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN3135N8-G
仓库库存编号：
DN3135N8-GCT-ND
别名：DN3135N8-GCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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