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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC011N03LS
  仓库库存编号：BSC011N03LSCT-ND
  别名：BSC011N03LSCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ018NE2LS
  仓库库存编号：BSZ018NE2LSCT-ND
  别名：BSZ018NE2LSCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC070N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC070N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC070N10NS5ATMA1CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC900N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC900N20NS3GCT-ND
  别名：BSC900N20NS3GCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8670S
  仓库库存编号：FDMS8670SCT-ND
  别名：FDMS8670SCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7423DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7423DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7423DN-T1-E3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN4R0-60YS,115
  仓库库存编号：1727-2470-1-ND
  别名：1727-2470-1
  568-12855-1
  568-12855-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC070N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC070N10NS3 GCT
  BSC070N10NS3 GCT-ND
  BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7493TRPBF
  仓库库存编号：IRF7493PBFCT-ND
  别名：*IRF7493TRPBF
  IRF7493PBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9Z34NSTRLPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH9310TRPBF
  仓库库存编号：IRFH9310TRPBFCT-ND
  别名：IRFH9310TRPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4896DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4896DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4896DY-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6415DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6415DQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6415DQ-T1-E3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC016N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC016N03MSGINCT
  BSC016N03MSGINCT-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 140mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP3310A
  仓库库存编号：ZVP3310A-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH6400ENH,L1Q
  仓库库存编号：TPH6400ENHL1QCT-ND
  别名：TPH6400ENH,L1QCT
  TPH6400ENH,L1QCT-ND
  TPH6400ENHL1QCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC010NE2LS
  仓库库存编号：BSC010NE2LSCT-ND
  别名：BSC010NE2LSCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ478DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ478DP-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4455DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4455DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4455DY-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD034N06N3 G
  仓库库存编号：IPD034N06N3 GINCT-ND
  别名：IPD034N06N3 GINCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7818DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7818DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7818DN-T1-E3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7818DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7818DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7818DN-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN2106A
  仓库库存编号：ZVN2106A-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN2110A
  仓库库存编号：ZVN2110A-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ16DN25NS3 G
  仓库库存编号：BSZ16DN25NS3GCT-ND
  别名：BSZ16DN25NS3GCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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