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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 63A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 7.5W（Ta），65.2W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-09P-E3
  仓库库存编号：SUD50N03-09P-E3CT-ND
  别名：SUD50N03-09P-E3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y4R8-60EX
  仓库库存编号：1727-1487-1-ND
  别名：1727-1487-1
  568-10967-1
  568-10967-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8680
  仓库库存编号：FDMS8680CT-ND
  别名：FDMS8680CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC057N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC057N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC057N08NS3 GCT
  BSC057N08NS3 GCT-ND
  BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3607TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3607TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3607TRPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC500N20NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC500N20NS3GATMA1CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2540N3-G
  仓库库存编号：DN2540N3-G-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0104N3-G
  仓库库存编号：VP0104N3-G-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4510TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4510TRPBFCT-ND
  别名：IRFR4510TRPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF640NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF640NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF640NSTRLPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD06N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD06N80C3ATMA1CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.67A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4310GTA
  仓库库存编号：ZVN4310GCT-ND
  别名：ZVN4310G
  ZVN4310GCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3504ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3504ZPBFCT-ND
  别名：*IRFR3504ZTRPBF
  IRFR3504ZPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFR3710ZTRPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO301SP H
  仓库库存编号：BSO301SP HCT-ND
  别名：BSO301SP HCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1110FNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH1110FNHL1QCT-ND
  别名：TPH1110FNH,L1QCT
  TPH1110FNH,L1QCT-ND
  TPH1110FNHL1QCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD26NF10
  仓库库存编号：497-7963-1-ND
  别名：497-7963-1
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32.1A（Tc） 7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4062DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4062DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4062DY-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 40A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD40N06-14L_GE3
  仓库库存编号：SQD40N06-14L_GE3CT-ND
  别名：SQD40N06-14L_GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN022-30PL,127
  仓库库存编号：1727-5893-ND
  别名：1727-5893
  568-7512-5
  568-7512-5-ND
  934063985127
  PSMN022-30PL,127-ND
  PSMN02230PL127
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC123N10LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC123N10LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC123N10LS GCT
  BSC123N10LS GCT-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD10AN06A0
  仓库库存编号：FDD10AN06A0CT-ND
  别名：FDD10AN06A0CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86102
  仓库库存编号：FDMC86102CT-ND
  别名：FDMC86102CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4206A
  仓库库存编号：ZVN4206A-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4206AV
  仓库库存编号：ZVN4206AV-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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