规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0106N3-G
仓库库存编号：
TN0106N3-G-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R4-40YLDX
仓库库存编号：
1727-1857-1-ND
别名：1727-1857-1
568-11553-1
568-11553-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD110PBF
仓库库存编号：
IRFD110PBF-ND
别名：*IRFD110PBF
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 180mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVNL120A
仓库库存编号：
ZVNL120A-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN3306A
仓库库存编号：
ZVN3306A-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN3310A
仓库库存编号：
ZVN3310A-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVNL110A
仓库库存编号：
ZVNL110A-ND
别名：TN0110N3
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 27.5A（Tc） 5W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7456CDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7456CDP-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
型号：
SPD50P03L G
仓库库存编号：
SPD50P03LGINCT-ND
别名：SPD50P03LGINCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7898DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7898DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7898DP-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86102LZ
仓库库存编号：
FDMS86102LZCT-ND
别名：FDMS86102LZCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.4W（Ta） 8-SOIC
型号：
FDS4675_F085
仓库库存编号：
FDS4675_F085CT-ND
别名：FDS4675_F085CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C628NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C628NLT1GOSCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB054N08N3 G
仓库库存编号：
IPB054N08N3 GCT-ND
别名：IPB054N08N3 GCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS170P
仓库库存编号：
BS170P-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8447L
仓库库存编号：
FDB8447LCT-ND
别名：FDB8447LCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5053TRPBF
仓库库存编号：
IRFH5053TRPBFCT-ND
别名：IRFH5053TRPBFCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
型号：
ZXMP6A18KTC
仓库库存编号：
ZXMP6A18KTCCT-ND
别名：ZXMP6A18KTCCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC010NE2LSI
仓库库存编号：
BSC010NE2LSICT-ND
别名：BSC010NE2LSICT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9510STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9510STRLPBFCT-ND
别名：IRF9510STRLPBFCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC031N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3 GCT-ND
BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 149W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN7R6-60BS,118
仓库库存编号：
1727-7215-1-ND
别名：1727-7215-1
568-9706-1
568-9706-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32.7A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
PHB33NQ20T,118
仓库库存编号：
1727-4765-1-ND
别名：1727-4765-1
568-5942-1
568-5942-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD110N12N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD110N12N3GATMA1CT-ND
别名：IPD110N12N3GATMA1CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TP0606N3-G
仓库库存编号：
TP0606N3-G-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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