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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 200V SO8L
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ431EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ431EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ431EP-T1_GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ48NSTRLPBFCT-ND
别名：IRFZ48NSTRLPBFCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.75W（Ta），127W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB33N10LTM
仓库库存编号：
FQB33N10LTMCT-ND
别名：FQB33N10LTMCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9540NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF9540NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF9540NSTRLPBFCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF5305STRLPBF
仓库库存编号：
IRF5305STRLPBFCT-ND
别名：IRF5305STRLPBFCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 700mA（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9110PBF
仓库库存编号：
IRFD9110PBF-ND
别名：*IRFD9110PBF
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
型号：
FDMS2672
仓库库存编号：
FDMS2672CT-ND
别名：FDMS2672CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR880ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR880ADP-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD16AN08A0
仓库库存编号：
FDD16AN08A0CT-ND
别名：FDD16AN08A0CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 2.8W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD19537Q3T
仓库库存编号：
296-42632-1-ND
别名：296-42632-1
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP2106A
仓库库存编号：
ZVP2106A-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU110PBF
仓库库存编号：
IRFU110PBF-ND
别名：*IRFU110PBF
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2410L-G
仓库库存编号：
VN2410L-G-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0104N3-G
仓库库存编号：
TN0104N3-G-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5864NG
仓库库存编号：
NTP5864NGOS-ND
别名：NTP5864NG-ND
NTP5864NGOS
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS5670
仓库库存编号：
FDS5670CT-ND
别名：FDS5670CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 19A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z34NPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34NPBF-ND
别名：*IRF9Z34NPBF
SP001560182
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N04LS G
仓库库存编号：
BSC016N04LS GCT-ND
别名：BSC016N04LS GCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF710PBF
仓库库存编号：
IRF710PBF-ND
别名：*IRF710PBF
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD014PBF
仓库库存编号：
IRFD014PBF-ND
别名：*IRFD014PBF
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 4A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9510PBF
仓库库存编号：
IRF9510PBF-ND
别名：*IRF9510PBF
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9014PBF
仓库库存编号：
IRFD9014PBF-ND
别名：*IRFD9014PBF
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V LFPAK56
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 158W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN0R7-25YLDX
仓库库存编号：
1727-2514-1-ND
别名：1727-2514-1
568-12952-1
568-12952-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB028N06NN3 G
仓库库存编号：
BSB028N06NN3 GCT-ND
别名：BSB028N06NN3 GCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9520PBF
仓库库存编号：
IRF9520PBF-ND
别名：*IRF9520PBF
规格：Vgs（最大值） ±20V,
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