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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 31A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF5305PBF
  仓库库存编号：IRF5305PBF-ND
  别名：*IRF5305PBF
  94-4306PBF
  94-4306PBF-ND
  SP001564354
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 960mW（Ta）, 170W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPW1R005PL,L1Q
  仓库库存编号：TPW1R005PLL1QCT-ND
  别名：TPW1R005PLL1QCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB042N10N3 G
  仓库库存编号：IPB042N10N3 GCT-ND
  别名：IPB042N10N3 GCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7434DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7434DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7434DP-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD320N20N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD320N20N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD320N20N3GATMA1CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR866DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR866DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR866DP-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 42A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF4905STRLPBF
  仓库库存编号：IRF4905STRLPBFCT-ND
  别名：IRF4905STRLPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730PBF
  仓库库存编号：IRF730PBF-ND
  别名：*IRF730PBF
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC320N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC320N20NS3 GCT-ND
  别名：BSC320N20NS3 GCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF5210STRLPBF
  仓库库存编号：IRF5210STRLPBFCT-ND
  别名：IRF5210STRLPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9020PBF
  仓库库存编号：IRFD9020PBF-ND
  别名：*IRFD9020PBF
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
  
  型号：BSC010N04LSIATMA1
  仓库库存编号：BSC010N04LSIATMA1CT-ND
  别名：BSC010N04LSIATMA1CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB200N15N3 G
  仓库库存编号：IPB200N15N3 GCT-ND
  别名：IPB200N15N3 GCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tj） 296W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN7R6-100BSEJ
  仓库库存编号：1727-1104-1-ND
  别名：1727-1104-1
  568-10259-1
  568-10259-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9620PBF
  仓库库存编号：IRF9620PBF-ND
  别名：*IRF9620PBF
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC600N25NS3 G
  仓库库存编号：BSC600N25NS3 GCT-ND
  别名：BSC600N25NS3 GCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P06-15L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P06-15L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P06-15L_GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N08S2L07ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N08S2L-07CT
  IPB80N08S2L-07CT-ND
  IPB80N08S2L07ATMA1CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF644PBF
  仓库库存编号：IRF644PBF-ND
  别名：*IRF644PBF
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 24W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N06L
  仓库库存编号：FQPF13N06L-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2406L-G
  仓库库存编号：VN2406L-G-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3205PBF
  仓库库存编号：IRF3205PBF-ND
  别名：*IRF3205PBF
  64-0085PBF
  64-0085PBF-ND
  SP001559536
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK764R0-75C,118
  仓库库存编号：1727-5255-1-ND
  别名：1727-5255-1
  568-6579-1
  568-6579-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF33N10L
  仓库库存编号：FQPF33N10LFS-ND
  别名：FQPF33N10L-ND
  FQPF33N10LFS
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9520SPBF
  仓库库存编号：IRF9520SPBF-ND
  别名：*IRF9520SPBF
  
  规格：Vgs（最大值） ±20V,
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