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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB015N04L G
仓库库存编号：
IPB015N04L GCT-ND
别名：IPB015N04L GCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号：
SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
别名：SQM120N10-3M8_GE3TR
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号：
SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
别名：SQM120N10-3M8_GE3-ND
SQM120N10-3M8_GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB40NF20
仓库库存编号：
497-5804-1-ND
别名：497-5804-1
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE818DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE818DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE818DF-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2532
仓库库存编号：
FDB2532CT-ND
别名：FDB2532CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 255W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB060AN08A0
仓库库存编号：
FDB060AN08A0CT-ND
别名：FDB060AN08A0CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF5210PBF
仓库库存编号：
IRF5210PBF-ND
别名：*IRF5210PBF
SP001559642
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB019N06L3 G
仓库库存编号：
IPB019N06L3 GCT-ND
别名：IPB019N06L3 GCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），124A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7769L1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7769L1TRPBFCT-ND
别名：IRF7769L1TRPBFCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 234W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB110N15A
仓库库存编号：
FDB110N15ACT-ND
别名：FDB110N15ACT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18532KCS
仓库库存编号：
296-34941-5-ND
别名：296-34941-5
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB011N04L G
仓库库存编号：
IPB011N04L GCT-ND
别名：IPB011N04L GCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C404NT1GOSCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 42A（Tc） 170W（Tc） TO-262
型号：
IRF4905LPBF
仓库库存编号：
IRF4905LPBF-ND
别名：64-2156PBF
64-2156PBF-ND
SP001563376
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRFS3004TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS3004TRL7PPCT-ND
别名：IRFS3004TRL7PPCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB016N06L3 G
仓库库存编号：
IPB016N06L3 GCT-ND
别名：IPB016N06L3 GCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN1R8-30PL,127
仓库库存编号：
1727-4388-ND
别名：1727-4388
568-5234
568-5234-5
568-5234-5-ND
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta），270A（Tc） 3.8W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7739L1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7739L1TRPBFCT-ND
别名：IRF7739L1TRPBFCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP064NPBF
仓库库存编号：
IRFP064NPBF-ND
别名：*IRFP064NPBF
SP001554926
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 9.2A（Ta），53A（Tc） 3.1W（Ta），104.2W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP53P06-20-E3
仓库库存编号：
SUP53P06-20-E3-ND
别名：SUP53P0620E3
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tc） H-PSOF-8-1
型号：
IPLU300N04S4R8XTMA1
仓库库存编号：
IPLU300N04S4R8XTMA1CT-ND
别名：IPLU300N04S4R8XTMA1CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） TO-220
型号：
STP140N6F7
仓库库存编号：
497-15890-5-ND
别名：497-15890-5
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB025N08N3 G
仓库库存编号：
IPB025N08N3 GCT-ND
别名：IPB025N08N3 GCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN3R5-80PS,127
仓库库存编号：
1727-5282-ND
别名：1727-5282
568-6710
568-6710-5
568-6710-5-ND
568-6710-ND
934065169127
PSMN3R580PS127
规格：Vgs（最大值） ±20V,
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