规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),73A(Tc) 70W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8876
仓库库存编号:
FDD8876CT-ND
别名:FDD8876CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC024NE2LS
仓库库存编号:
BSC024NE2LSCT-ND
别名:BSC024NE2LSCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3910TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3910PBFCT-ND
别名:*IRFR3910TRPBF
IRFR3910PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7241TRPBF
仓库库存编号:
IRF7241PBFCT-ND
别名:*IRF7241TRPBF
IRF7241PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR7807ZPBFCT-ND
别名:*IRLR7807ZTRPBF
IRLR7807ZPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),36W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6612A
仓库库存编号:
FDD6612ACT-ND
别名:FDD6612ACT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR484DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR484DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR484DP-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 40W(Tc) DPAK
型号:
STD16NF06T4
仓库库存编号:
497-15667-1-ND
别名:497-15667-1
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 3.8W(Ta),42W(Tc) TO-252-3
型号:
FDD5612
仓库库存编号:
FDD5612CT-ND
别名:FDD5612CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5mA(Ta) 2.5W(Ta) SOT-223
型号:
CPC5603CTR
仓库库存编号:
CLA299CT-ND
别名:CLA299CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024TRPBF
仓库库存编号:
IRFR024PBFCT-ND
别名:*IRFR024TRPBF
IRFR024PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN13008NH,L1Q
仓库库存编号:
TPN13008NHL1QCT-ND
别名:TPN13008NHL1QCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7478TRPBF
仓库库存编号:
IRF7478PBFCT-ND
别名:*IRF7478TRPBF
IRF7478PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7469TRPBF
仓库库存编号:
IRF7469PBFCT-ND
别名:*IRF7469TRPBF
IRF7469PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),28A(Tc) 30W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8451
仓库库存编号:
FDD8451CT-ND
别名:FDD8451CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.6W(Ta),36W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH4R003NL,L1Q
仓库库存编号:
TPH4R003NLL1QCT-ND
别名:TPH4R003NLL1QCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),85A(Tc) 7.4W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6502
仓库库存编号:
785-1576-1-ND
别名:785-1576-1
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4436DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4436DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4436DY-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4436DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4436DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4436DY-T1-E3CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3707ZTRPBFCT-ND
别名:*IRFR3707ZTRPBF
IRFR3707ZPBFCT
IRFR3707ZPBFCT-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3303PBFCT-ND
别名:*IRFR3303TRPBF
IRFR3303PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6690AS
仓库库存编号:
FDS6690ASCT-ND
别名:FDS6690ASCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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