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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7473TRPBF
仓库库存编号:
IRF7473PBFCT-ND
别名:*IRF7473TRPBF
IRF7473PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6655TRPBF
仓库库存编号:
IRF6655TRPBFCT-ND
别名:IRF6655TRPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 20A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),50A(Tc) 6.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
型号:
AON7280
仓库库存编号:
785-1614-1-ND
别名:785-1614-1
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ025N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ025N04LSATMA1CT-ND
别名:BSZ025N04LSATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A SOT428
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 20W(Ta) CPT3
型号:
RSD220N06TL
仓库库存编号:
RSD220N06TLCT-ND
别名:RSD220N06TLCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRL530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL530NSTRLPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7636DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7636DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7636DP-T1-E3CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8840NZ
仓库库存编号:
FDS8840NZCT-ND
别名:FDS8840NZCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7892BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7892BDP-T1-E3CT-ND
别名:SI7892BDP-T1-E3CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.2A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ900N20NS3 G
仓库库存编号:
BSZ900N20NS3GCT-ND
别名:BSZ900N20NS3GCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2535N3-G
仓库库存编号:
DN2535N3-G-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB083N10N3 G
仓库库存编号:
IPB083N10N3 GCT-ND
别名:IPB083N10N3 GCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF630NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF630NSTRLPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),69W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD5353
仓库库存编号:
FDD5353CT-ND
别名:FDD5353CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR812DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR812DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR812DP-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 58.8A(Tc) 5W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ470DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ470DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJ470DP-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4136DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4136DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4136DY-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.1W(Ta) 8-MSOP
型号:
ZXM64P03XTA
仓库库存编号:
ZXM64P03XCT-ND
别名:ZXM64P03X
ZXM64P03XCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 160mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN0124A
仓库库存编号:
ZVN0124A-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 10W(Ta),83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-06AP-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-06AP-E3CT-ND
别名:SUD50N03-06AP-E3CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 1.6W(Ta),61W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH8R80ANH,L1Q
仓库库存编号:
TPH8R80ANHL1QCT-ND
别名:TPH8R80ANHL1QCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC16DN25NS3 G
仓库库存编号:
BSC16DN25NS3GCT-ND
别名:BSC16DN25NS3GCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ34NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ34NSTRLPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD082N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD082N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD082N10N3GATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 145A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 145A(Tc) 153W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8444_F085
仓库库存编号:
FDD8444_F085CT-ND
别名:FDD8444_F085CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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