规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 530mA(Ta) 450mW(Ta) SOT-23
型号:
DMP31D0U-7
仓库库存编号:
DMP31D0U-7DICT-ND
别名:DMP31D0U-7DICT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 830mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3
型号:
FDY102PZ
仓库库存编号:
FDY102PZCT-ND
别名:FDY102PZCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.56W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1442DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1442DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1442DH-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS3157NT1G
仓库库存编号:
NTJS3157NT1GOSCT-ND
别名:NTJS3157NT1GOSCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 700mA(Ta) 280mW(Tj) SC-70-3(SOT323)
型号:
NTS4409NT1G
仓库库存编号:
NTS4409NT1GOSCT-ND
别名:NTS4409NT1GOSCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401TRPBF
仓库库存编号:
IRLML6401PBFCT-ND
别名:*IRLML6401TRPBF
IRLML6401PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta),18A(Tc) 96mW,80mW SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2374DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2374DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2374DS-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 800mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J56MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J56MFVL3FCT-ND
别名:SSM3J56MFVL3F(TCT
SSM3J56MFVL3F(TCT-ND
SSM3J56MFVL3FCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 900mA(Tc) 400mW(Tc) SOT-323
型号:
SI1315DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1315DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1315DL-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 540mA(Ta) 460mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMP31D0UFB4-7B
仓库库存编号:
DMP31D0UFB4-7BDICT-ND
别名:DMP31D0UFB4-7BDICT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.2W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD13201W10
仓库库存编号:
296-41412-1-ND
别名:296-41412-1
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.51A
详细描述:表面贴装 N 沟道 510mA(Ta) 400mW(Ta) 3-X2-DFN0806
型号:
DMN2990UFA-7B
仓库库存编号:
DMN2990UFA-7BDICT-ND
别名:DMN2990UFA-7BDICT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MGSF2N02ELT1G
仓库库存编号:
MGSF2N02ELT1GOSCT-ND
别名:MGSF2N02ELT1GOS
MGSF2N02ELT1GOS-ND
MGSF2N02ELT1GOSCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 490mW(Ta), 4.15W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV27UPER
仓库库存编号:
1727-2304-1-ND
别名:1727-2304-1
568-12590-1
568-12590-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.5A
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J133TU,LF
仓库库存编号:
SSM3J133TULFCT-ND
别名:SSM3J133TULFCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 450mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN3730U-7
仓库库存编号:
DMN3730U-7DICT-ND
别名:DMN3730U-7DICT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J501NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J501NULFCT-ND
别名:SSM6J501NULF(TCT
SSM6J501NULF(TCT-ND
SSM6J501NULFCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.4W(Ta),17.9W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA461DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA461DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA461DJ-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J120TU,LF
仓库库存编号:
SSM3J120TULFCT-ND
别名:SSM3J120TU(T5LT)CT
SSM3J120TU(T5LT)CT-ND
SSM3J120TU(TE85L)CT
SSM3J120TU(TE85L)CT-ND
SSM3J120TULFCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1414DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1414DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1414DH-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.6W(Ta) 6-SSOT
型号:
SI3443DV
仓库库存编号:
SI3443DVFSCT-ND
别名:SI3443DVFSCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8808DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8808DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8808DB-T2-E1CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR802N L6327
仓库库存编号:
BSR802N L6327INCT-ND
别名:BSR802N L6327INCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J130TU,LF
仓库库存编号:
SSM3J130TULFCT-ND
别名:SSM3J130TU(TE85L)CT
SSM3J130TU(TE85L)CT-ND
SSM3J130TULFCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
SI2302-TP
仓库库存编号:
SI2302-TPMSCT-ND
别名:SI2302-TPMSCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
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