规格:Vgs(最大值) ±12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8409DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8409DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8409DB-T1-E1CT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),80A(Tc) 2.8W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC046N02KS G
仓库库存编号:
BSC046N02KS GCT-ND
别名:BSC046N02KS GCT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3708TRPBFCT-ND
别名:IRFR3708TRPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC026N02KS G
仓库库存编号:
BSC026N02KS GCT-ND
别名:BSC026N02KS GCT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805TRPBF
仓库库存编号:
IRF7805PBFCT-ND
别名:*IRF7805TRPBF
IRF7805PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMN3B04N8TA
仓库库存编号:
ZXMN3B04N8CT-ND
别名:ZXMN3B04N8CT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3708PBF
仓库库存编号:
IRF3708PBF-ND
别名:*IRF3708PBF
SP001553964
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),90A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS8558SDC
仓库库存编号:
FDMS8558SDCCT-ND
别名:FDMS8558SDCCT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 1W(Ta) TUMT5
型号:
US5U38TR
仓库库存编号:
US5U38CT-ND
别名:US5U38CT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-26
型号:
DMP2130LDM-7
仓库库存编号:
DMP2130LDMDICT-ND
别名:DMP2130LDMDICT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 900mW(Ta) TSMT5
型号:
QS5U17TR
仓库库存编号:
QS5U17CT-ND
别名:QS5U17CT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RTL020P02TR
仓库库存编号:
RTL020P02CT-ND
别名:RTL020P02CT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
US6U37TR
仓库库存编号:
US6U37CT-ND
别名:US6U37CT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7402TRPBF
仓库库存编号:
IRF7402PBFCT-ND
别名:*IRF7402TRPBF
IRF7402PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 1.6W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO201SP H
仓库库存编号:
BSO201SP HCT-ND
别名:BSO201SP HCT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 160mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-523
型号:
DMN55D0UTQ-7
仓库库存编号:
DMN55D0UTQ-7DICT-ND
别名:DMN55D0UTQ-7DICT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 660mA 150mW SOT-523
型号:
SI3139KE-TP
仓库库存编号:
SI3139KE-TPMSCT-ND
别名:SI3139KE-TPMSCT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMV100XPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.4A(Ta) 463mW(Ta), 1.9W(Tc) TO-236AB
型号:
PMV100XPEAR
仓库库存编号:
1727-2728-1-ND
别名:1727-2728-1
568-13292-1
568-13292-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.1A(Ta) 530mW(Ta), 4.46W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN70XPX
仓库库存编号:
1727-2701-1-ND
别名:1727-2701-1
568-13220-1
568-13220-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4A(Ta), 5.3A(Tc) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3443DDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3443DDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3443DDV-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Ta) 480mW(Ta), 6.25W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV65XPER
仓库库存编号:
1727-2311-1-ND
别名:1727-2311-1
568-12597-1
568-12597-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±12V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2A(Ta) 1W(Ta) CST3B
型号:
SSM3K59CTB,L3F
仓库库存编号:
SSM3K59CTBL3FCT-ND
别名:SSM3K59CTBL3FCT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.5A(Tc) 1.8W(Tc) SOT-23
型号:
TSM320N03CX RFG
仓库库存编号:
TSM320N03CX RFGTR-ND
别名:TSM320N03CX RFGTR
规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.5A(Tc) 1.8W(Tc) SOT-23
型号:
TSM320N03CX RFG
仓库库存编号:
TSM320N03CX RFGCT-ND
别名:TSM320N03CX RFGCT
规格:Vgs(最大值) ±12V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.5A(Tc) 1.8W(Tc) SOT-23
型号:
TSM320N03CX RFG
仓库库存编号:
TSM320N03CX RFGDKR-ND
别名:TSM320N03CX RFGDKR
规格:Vgs(最大值) ±12V,
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