以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Tc） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2N7002LT1G
  仓库库存编号：2N7002LT1GOSCT-ND
  别名：2N7002LT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：2N7002-7-F
  仓库库存编号：2N7002-FDICT-ND
  别名：2N7002-FDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RZM001P02T2L
  仓库库存编号：RZM001P02T2LCT-ND
  别名：RZM001P02T2LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002,215
  仓库库存编号：1727-2764-1-ND
  别名：1727-2764-1
  568-1369-1
  568-1369-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS84-7-F
  仓库库存编号：BSS84-FDICT-ND
  别名：BSS84-FDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 200mW（Ta） SST3
  
  型号：RK7002BT116
  仓库库存编号：RK7002BT116CT-ND
  别名：RK7002BT116CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：BSS123LT1G
  仓库库存编号：BSS123LT1GOSCT-ND
  别名：BSS123LT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 100mW（Ta） VML0806
  
  型号：RV1C002UNT2CL
  仓库库存编号：RV1C002UNT2CLCT-ND
  别名：RV1C002UNT2CLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：2N7002
  仓库库存编号：2N7002NCT-ND
  别名：2N7002NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RUM001L02T2CL
  仓库库存编号：RUM001L02T2CLCT-ND
  别名：RUM001L02T2CLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138-7-F
  仓库库存编号：BSS138-FDICT-ND
  别名：BSS138-FDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMN55D0UT-7
  仓库库存编号：DMN55D0UTDICT-ND
  别名：DMN55D0UTDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 310mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：2N7002DW-7-F
  仓库库存编号：2N7002DW-FDICT-ND
  别名：2N7002DW-FDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：2SK3019TL
  仓库库存编号：2SK3019TLCT-ND
  别名：2SK3019TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
  
  型号：2SK3018T106
  仓库库存编号：2SK3018T106CT-ND
  别名：2SK3018T106CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V .1A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：2SK3541T2L
  仓库库存编号：2SK3541T2LCT-ND
  别名：2SK3541T2LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 100mA Surface Mount SSMini6-F3-B
  
  型号：FG6943010R
  仓库库存编号：FG6943010RCT-ND
  别名：FG6943010RCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RYM002N05T2CL
  仓库库存编号：RYM002N05T2CLCT-ND
  别名：RYM002N05T2CLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23
  
  型号：MMBF170
  仓库库存编号：MMBF170CT-ND
  别名：MMBF170CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
  
  型号：2N7002T-7-F
  仓库库存编号：2N7002T-FDICT-ND
  别名：2N7002T-FDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000TA
  仓库库存编号：2N7000TACT-ND
  别名：2N7000TACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS84W-7-F
  仓库库存编号：BSS84W-FDICT-ND
  别名：BSS84W-FDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS138W-7-F
  仓库库存编号：BSS138W-FDICT-ND
  别名：BSS138W-FDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：NDS7002A
  仓库库存编号：NDS7002ACT-ND
  别名：NDS7002ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6N44FE,LM
  仓库库存编号：SSM6N44FELMCT-ND
  别名：SSM6N44FE(TE85LF)CT
  SSM6N44FE(TE85LF)CT-ND
  SSM6N44FE,LMCT-ND
  SSM6N44FELM(TCT
  SSM6N44FELM(TCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索