品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 80V 880mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP0808B-E3
仓库库存编号:
VP0808B-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 100V 790mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP1008B
仓库库存编号:
VP1008B-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1001P
仓库库存编号:
VQ1001P-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1001P-2
仓库库存编号:
VQ1001P-2-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1001P-E3
仓库库存编号:
VQ1001P-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
详细描述:MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
型号:
VQ1004P
仓库库存编号:
VQ1004P-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
详细描述:MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
型号:
VQ1004P-2
仓库库存编号:
VQ1004P-2-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
详细描述:MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
型号:
VQ1004P-E3
仓库库存编号:
VQ1004P-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1006P
仓库库存编号:
VQ1006P-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1006P-2
仓库库存编号:
VQ1006P-2-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1006P-E3
仓库库存编号:
VQ1006P-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 P-Channel 30V 600mA 2W
型号:
VQ2001P
仓库库存编号:
VQ2001P-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 P-Channel 30V 600mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ2001P-2
仓库库存编号:
VQ2001P-2-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 30V 850mA, 600mA 2W
型号:
VQ3001P-E3
仓库库存编号:
VQ3001P-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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