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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVNL110A
  仓库库存编号：ZVNL110A-ND
  别名：TN0110N3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS170P
  仓库库存编号：BS170P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TP0606N3-G
  仓库库存编号：TP0606N3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2106A
  仓库库存编号：ZVP2106A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2410L-G
  仓库库存编号：VN2410L-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0104N3-G
  仓库库存编号：TN0104N3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0610N3-G
  仓库库存编号：TN0610N3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP12N10L
  仓库库存编号：RFP12N10L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TN0604N3-G
  仓库库存编号：TN0604N3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 640mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0300L-G
  仓库库存编号：VN0300L-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 530mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0702N3-G
  仓库库存编号：TN0702N3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 200mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP4424A
  仓库库存编号：ZVP4424A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2406L-G
  仓库库存编号：VN2406L-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0808L-G
  仓库库存编号：VP0808L-G-ND
  
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 100mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VP2450N3-G
  仓库库存编号：VP2450N3-G-ND
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4310A
  仓库库存编号：ZVN4310A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.1A（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4306AV
  仓库库存编号：ZVN4306AV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.1A（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4306A
  仓库库存编号：ZVN4306A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 45mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP0545A
  仓库库存编号：ZVP0545A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN0545A
  仓库库存编号：ZVN0545A-ND
  
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• EPC
  TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8002
  仓库库存编号：917-1118-1-ND
  别名：917-1118-1
  
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 14-PDIP
  
  型号：ALD1106PBL
  仓库库存编号：1014-1012-ND
  别名：1014-1012
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel Matched Pair 10.6V 40mA, 16mA 500mW Through Hole 14-PDIP
  
  型号：ALD1103PBL
  仓库库存编号：1014-1008-ND
  别名：1014-1008
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP01N100D
  仓库库存编号：IXTP01N100D-ND
  别名：607074
  Q1614635
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• EPC
  MOSFET NCH 40V 60A DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2024
  仓库库存编号：917-1106-1-ND
  别名：917-1106-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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