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Sanken
MOSFET 4N-CH 60V 5A 15-SIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (Half Bridge) 60V 5A 4.8W Through Hole 15-SIP
型号:
SLA5074
仓库库存编号:
SLA5074-ND
别名:SLA5074 DK
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP
详细描述:Mosfet Array 5 N-Channel, Common Source 60V 10A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5085
仓库库存编号:
SLA5085-ND
别名:SLA5085 DK
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 6N-CH 60V 5A 15-SIP
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 60V 5A 5W Through Hole 15-SIP
型号:
SLA5073
仓库库存编号:
SLA5073-ND
别名:SLA5073 DK
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP
详细描述:Mosfet Array 5 P-Channel, Common Source 60V 5A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5086
仓库库存编号:
SLA5086-ND
别名:SLA5086 DK
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
详细描述:Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 10A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5064
仓库库存编号:
SLA5064-ND
别名:SLA5064 DK
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
详细描述:通孔 P 沟道 750mA(Tj) 360mW(Tc) TO-39
型号:
VP2206N2
仓库库存编号:
VP2206N2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 52A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APL502J
仓库库存编号:
APL502J-ND
别名:APL502JMI
APL502JMI-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) UMT3F
型号:
RU1C001ZPTL
仓库库存编号:
RU1C001ZPTLCT-ND
别名:RU1C001ZPTLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F
详细描述:表面贴装 P 沟道 250mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3F
型号:
RU1E002SPTCL
仓库库存编号:
RU1E002SPTCLCT-ND
别名:RU1E002SPTCLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RSU002N06T106
仓库库存编号:
RSU002N06T106CT-ND
别名:RSU002N06T106CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN601WK-7
仓库库存编号:
DMN601WKDICT-ND
别名:DMN601WK-FCT
DMN601WK-FCT-ND
DMN601WK-FDICT
DMN601WK-FDICT-ND
DMN601WKDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 310mW Surface Mount SOT-363
型号:
2N7002DWQ-7-F
仓库库存编号:
2N7002DWQ-7-FDICT-ND
别名:2N7002DWQ-7-FDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 180mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
型号:
SSM6N35FE,LM
仓库库存编号:
SSM6N35FELMCT-ND
别名:SSM6N35FE(TE85LF)CT
SSM6N35FE(TE85LF)CT-ND
SSM6N35FELMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000_D75Z
仓库库存编号:
2N7000_D75ZFSCT-ND
别名:2N7000_D75ZFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 100mA 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
型号:
FC6546010R
仓库库存编号:
FC6546010RCT-ND
别名:FC6546010RCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3
型号:
2SK2731T146
仓库库存编号:
2SK2731T146CT-ND
别名:2SK2731T146CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 440mA(Ta) 450mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMN2005LPK-7
仓库库存编号:
DMN2005LPK-7DICT-ND
别名:DMN2005LPK-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3
型号:
RHK005N03T146
仓库库存编号:
RHK005N03T146CT-ND
别名:RHK005N03T146CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 540mW(Ta) WSSMini6-F1
型号:
MTM862270LBF
仓库库存编号:
MTM862270LBFCT-ND
别名:MTM862270LBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 530mA 400mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMP2004VK-7
仓库库存编号:
DMP2004VKDICT-ND
别名:DMP2004VKDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
型号:
SSM6L35FE,LM
仓库库存编号:
SSM6L35FELMCT-ND
别名:SSM6L16FE(TE85LF)CT
SSM6L16FE(TE85LF)CT-ND
SSM6L35FE(TE85LF)CT
SSM6L35FE(TE85LF)CT-ND
SSM6L35FELM(TCT
SSM6L35FELM(TCT-ND
SSM6L35FELMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
型号:
RSE002P03TL
仓库库存编号:
RSE002P03TLCT-ND
别名:RSE002P03TLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 200mA 150mW Surface Mount UMT6
型号:
UM6J1NTN
仓库库存编号:
UM6J1NTNCT-ND
别名:UM6J1NTNCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 50V 160mA 400mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMP58D0SV-7
仓库库存编号:
DMP58D0SVDICT-ND
别名:DMP58D0SVDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 670mA, 530mA 450mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMC2004VK-7
仓库库存编号:
DMC2004VKDICT-ND
别名:DMC2004VKDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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