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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMN66D0LT-7
  仓库库存编号：DMN66D0LTDICT-ND
  别名：DMN66D0LTDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RZL035P01TR
  仓库库存编号：RZL035P01CT-ND
  别名：RZL035P01CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 800V SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC3980ZTR
  仓库库存编号：CLA4159-1-ND
  别名：CLA4159-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC5603CTR
  仓库库存编号：CLA299CT-ND
  别名：CLA299CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：N 沟道 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP298H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP298H6327XUSA1CT
  
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET 2N-CH 24V 8A WMINI8-F1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 24V 8A 1W Surface Mount WMini8-F1
  
  型号：FC8V22040L
  仓库库存编号：FC8V22040LCT-ND
  别名：FC8V22040LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22A SOT428
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 20W（Ta） CPT3
  
  型号：RSD220N06TL
  仓库库存编号：RSD220N06TLCT-ND
  别名：RSD220N06TLCT
  
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G
  仓库库存编号：DN2535N3-G-ND
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 160mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN0124A
  仓库库存编号：ZVN0124A-ND
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4210A
  仓库库存编号：ZVN4210A-ND
  
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 330mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0606L-G
  仓库库存编号：VN0606L-G-ND
  
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0620N3-G
  仓库库存编号：TN0620N3-G-ND
  
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN1206L-G
  仓库库存编号：VN1206L-G-ND
  
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 180mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2640N3-G
  仓库库存编号：TP2640N3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 540mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2224N3-G
  仓库库存编号：VN2224N3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：ALD110814SCL
  仓库库存编号：1014-1029-ND
  别名：1014-1029
  
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：ALD1101SAL
  仓库库存编号：1014-1003-ND
  别名：1014-1003
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：ALD114835SCL
  仓库库存编号：1014-1060-ND
  别名：1014-1060
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：ALD1102ASAL
  仓库库存编号：1014-1005-ND
  别名：1014-1005
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Sanken
  MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 60V 7A 4.8W Through Hole 15-ZIP
  
  型号：SLA5065
  仓库库存编号：SLA5065-ND
  别名：SLA5065 DK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Sanken
  MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 60V 7A 5W Through Hole 15-SIP
  
  型号：SLA5068-LF830
  仓库库存编号：SLA5068-LF830-ND
  别名：SLA5068
  SLA5068 DK
  SLA5068-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 不受无铅要求限制
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
  详细描述：通孔 3A（Tc）（95°C） 15W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA03JT12-247
  仓库库存编号：1242-1164-ND
  别名：1242-1164
  GA03JT12247
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 730W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APL502LG
  仓库库存编号：APL502LG-ND
  别名：APL502LGMI
  APL502LGMI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 180A 1130W Module
  
  型号：BSM180D12P2C101
  仓库库存编号：BSM180D12P2C101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 300mA 150mW Surface Mount EMT5
  
  型号：EM5K5T2R
  仓库库存编号：EM5K5T2RCT-ND
  别名：EM5K5T2RCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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