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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 250mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DMN66D0LDW-7
  仓库库存编号：DMN66D0LDWDICT-ND
  别名：DMN66D0LDWDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP2120G4TA
  仓库库存编号：ZXMP2120G4CT-ND
  别名：ZXMP2120G4CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2535N3-G
  仓库库存编号：TP2535N3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Ta） LPTS
  
  型号：RSJ800N06TL
  仓库库存编号：RSJ800N06TLCT-ND
  别名：RSJ800N06TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI26N60M2
  仓库库存编号：497-16517-5-ND
  别名：497-16517-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF26N60M2
  仓库库存编号：497-16514-5-ND
  别名：497-16514-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6010ANX
  仓库库存编号：R6010ANX-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Sanken
  MOSFET 3N/3P-CH 500V 1.5A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 500V 1.5A Through Hole 12-SIP
  
  型号：SMA5132
  仓库库存编号：SMA5132-ND
  别名：SMA5132 DK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Sanken
  MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 10A 4W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SMA5125
  仓库库存编号：SMA5125-ND
  别名：SMA5125 DK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Sanken
  MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 10A, 6A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5061
  仓库库存编号：SLA5061-ND
  别名：SLA5061 DK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15-SIP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 600V 7A Through Hole 15-SIP
  
  型号：SLA5201
  仓库库存编号：SLA5201-ND
  别名：SLA5201 DK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 250V 7A 4W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SMA5117
  仓库库存编号：SMA5117-ND
  别名：SMA5117 DK
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 150A 115W Through Hole Module
  
  型号：FTCO3V455A1
  仓库库存编号：FTCO3V455A1-ND
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 45A
  详细描述：45A（Tc） 282W（Tc）
  
  型号：GA20JT12-263
  仓库库存编号：1242-1189-ND
  别名：1242-1189
  GA20JT12-247ISO
  GA20JT12247ISO
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
  详细描述：通孔 8A（Tc）（90°C） 48W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA08JT17-247
  仓库库存编号：1242-1135-ND
  别名：1242-1135
  GA08JT17247
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3J35MFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3J35MFVL3FCT-ND
  别名：SSM3J35MFV(TL3T)CT
  SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND
  SSM3J35MFVL3FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 500mW（Ta） CST3C
  
  型号：SSM3K15ACTC,L3F
  仓库库存编号：SSM3K15ACTCL3FCT-ND
  别名：SSM3K15ACTCL3FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：2SK3018-TP
  仓库库存编号：2SK3018-TPMSCT-ND
  别名：2SK3018-TPMSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1J002YNTCL
  仓库库存编号：RE1J002YNTCLCT-ND
  别名：RE1J002YNTCLCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET ARRAY 2N-CH 20V 250MA US6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA (Ta) 300mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N37FU,LF
  仓库库存编号：SSM6N37FULFCT-ND
  别名：SSM6N37FULFCT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 160mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMN55D0UTQ-7
  仓库库存编号：DMN55D0UTQ-7DICT-ND
  别名：DMN55D0UTQ-7DICT
  
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 660mA 150mW SOT-523
  
  型号：SI3139KE-TP
  仓库库存编号：SI3139KE-TPMSCT-ND
  别名：SI3139KE-TPMSCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 400mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K09FU,LF
  仓库库存编号：SSM3K09FULFCT-ND
  别名：SSM3K09FULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A Surface Mount 6-UDFN (2x2)
  
  型号：SSM6L61NU,LF
  仓库库存编号：SSM6L61NULFCT-ND
  别名：SSM6L61NULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 32.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 32.3A（Tc） 77W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7237-55A,118
  仓库库存编号：1727-7157-1-ND
  别名：1727-7157-1
  568-9640-1
  568-9640-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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