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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 25A
  详细描述：表面贴装 25A（Tc） 170W（Tc）
  
  型号：GA10JT12-263
  仓库库存编号：1242-1186-ND
  别名：1242-1186
  GA10JT12-220ISO
  GA10JT12220ISO
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
  详细描述：表面贴装 25A（Tc） 170W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：GA10SICP12-263
  仓库库存编号：1242-1318-ND
  别名：1242-1318
  GA10SICP12-263-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 160A SOT227
  详细描述：TRANS SJT 1200V 160A SOT227
  
  型号：GA100JT12-227
  仓库库存编号：1242-1317-ND
  别名：1242-1317
  GA100JT12-227-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 50V 0.1A USM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K17FU,LF
  仓库库存编号：SSM3K17FULFCT-ND
  别名：SSM3K17FULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V SOT523
  详细描述：Mosfet Array
  
  型号：DMN63D0LT-7
  仓库库存编号：DMN63D0LT-7DICT-ND
  别名：DMN63D0LT-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59
  
  型号：2SK1828TE85LF
  仓库库存编号：2SK1828TE85LFCT-ND
  别名：2SK1828TE85LFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.05A USM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50mA（Ta） 100mW（Ta） SC-70
  
  型号：2SK1829TE85LF
  仓库库存编号：2SK1829TE85LFCT-ND
  别名：2SK1829TE85LFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） ESV
  
  型号：SSM5N15FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM5N15FE(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM5N15FE(TE85LF)CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
  
  型号：SSM5N15FU,LF
  仓库库存编号：SSM5N15FULFCT-ND
  别名：SSM5N15FU(TE85LF)CT
  SSM5N15FU(TE85LF)CT-ND
  SSM5N15FULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS84WQ-7-F
  仓库库存编号：BSS84WQ-7-FDICT-ND
  别名：BSS84WQ-7-FDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J117TU,LF
  仓库库存编号：SSM3J117TULFCT-ND
  别名：SSM3J117TULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6P35FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM6P35FE(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM6P35FE(TE85LF)CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2069FTA
  仓库库存编号：981-ZXMN2069FTA-CHP
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 305mA 400mW Surface Mount SOT-26
  
  型号：DMN5L06DMKQ-7
  仓库库存编号：DMN5L06DMKQ-7DICT-ND
  别名：DMN5L06DMKQ-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 150mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：2N7002VA-7
  仓库库存编号：2N7002VADICT-ND
  别名：2N7002VADICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 不受无铅要求限制
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 150mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：2N7002VA-7
  仓库库存编号：981-2N7002VA-7-CHP
  别名：2N7002VA7
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 不受无铅要求限制
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：2N7002L
  仓库库存编号：2N7002LCT-ND
  别名：2N7002LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
  
  型号：SSM6J206FE(TE85L,F
  仓库库存编号：SSM6J206FE(TE85LFCT-ND
  别名：SSM6J206FE(TE85LFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA 125mW Surface Mount SSMINI6-F1
  
  型号：UP0487C00L
  仓库库存编号：UP0487C00LCT-ND
  别名：UP0487C00LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.2A（Ta） 600mW（Ta） 迷你型5-G1
  
  型号：XN0NE9200L
  仓库库存编号：XN0NE9200LCT-ND
  别名：XN0NE9200LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3320ASTOA
  仓库库存编号：ZVN3320ASTOACT-ND
  别名：ZVN3320ASTOACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3320ASTOA
  仓库库存编号：981-ZVN3320ASTOA-CHP
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS138W-TP
  仓库库存编号：BSS138W-TPMSCT-ND
  别名：BSS138W-TPMSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：2N7002K
  仓库库存编号：2N7002KCT-ND
  别名：2N7002KCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1E002SPTCL
  仓库库存编号：RE1E002SPTCLCT-ND
  别名：RE1E002SPTCLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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