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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MMBF170LT1G
仓库库存编号:
MMBF170LT1GOSCT-ND
别名:MMBF170LT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59
型号:
2SJ168TE85LF
仓库库存编号:
2SJ168TE85LFCT-ND
别名:2SJ168TE85LFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6
型号:
SSM6N7002BFE,LM
仓库库存编号:
SSM6N7002BFELMCT-ND
别名:SSM6N7002BFELMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 100MA USM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) SC-70
型号:
2SK2034TE85LF
仓库库存编号:
2SK2034TE85LFCT-ND
别名:2SK2034TE85LFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
MMBF170Q-7-F
仓库库存编号:
MMBF170Q-7-FDICT-ND
别名:MMBF170Q-7-FDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K15ACT,L3F
仓库库存编号:
SSM3K15ACTL3FCT-ND
别名:SSM3K15ACTL3F(BCT
SSM3K15ACTL3F(BCT-ND
SSM3K15ACTL3FCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
LND150K1-G
仓库库存编号:
LND150K1-GCT-ND
别名:LND150K1-GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RUU002N05T106
仓库库存编号:
RUU002N05T106CT-ND
别名:RUU002N05T106CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
2SK3019-TP
仓库库存编号:
2SK3019-TPMSCT-ND
别名:2SK3019-TPMSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMN601VKQ-7
仓库库存编号:
DMN601VKQ-7DICT-ND
别名:DMN601VKQ-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
型号:
VT6K1T2CR
仓库库存编号:
VT6K1T2CRCT-ND
别名:VT6K1T2CRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 100mW(Ta) VML1006
型号:
RV2C002UNT2L
仓库库存编号:
RV2C002UNT2LCT-ND
别名:RV2C002UNT2LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Comchip Technology
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 660mA (Ta) 150mW Surface Mount SOT-363
型号:
CJ3139KDW-G
仓库库存编号:
641-1793-1-ND
别名:641-1793-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 150mW Surface Mount SOT-563
型号:
2N7002VC-7
仓库库存编号:
2N7002VC-7DICT-ND
别名:2N7002VC-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RUM002N05T2L
仓库库存编号:
RUM002N05T2LCT-ND
别名:RUM002N05T2LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) CST3
型号:
SSM3J15CT(TPL3)
仓库库存编号:
SSM3J15CT(TPL3)CT-ND
别名:SSM3J15CT(TPL3)CT
SSM3J15CTL3FCT
SSM3J15CTL3FCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RSM002N06T2L
仓库库存编号:
RSM002N06T2LCT-ND
别名:RSM002N06T2LCT
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563F
型号:
2N7002VA
仓库库存编号:
2N7002VACT-ND
别名:2N7002VACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 120mW Surface Mount EMT6
型号:
EM6K34T2CR
仓库库存编号:
EM6K34T2CRCT-ND
别名:EM6K34T2CRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 500mW(Ta) SC-59-3
型号:
DMP2012SN-7
仓库库存编号:
DMP2012SNDICT-ND
别名:DMP2012SN7
DMP2012SNDICT
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN66D0LW-7
仓库库存编号:
DMN66D0LW-7DICT-ND
别名:DMN66D0LW-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RHU003N03T106
仓库库存编号:
RHU003N03T106CT-ND
别名:RHU003N03T106CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 250mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN5L06WK-7
仓库库存编号:
DMN5L06WKDICT-ND
别名:DMN5L06WKDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN601WKQ-7
仓库库存编号:
DMN601WKQ-7DICT-ND
别名:DMN601WKQ-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMN601VK-7
仓库库存编号:
DMN601VKDICT-ND
别名:DMN601VK-FCT
DMN601VK-FCT-ND
DMN601VK-FDICT
DMN601VK-FDICT-ND
DMN601VKDICT
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