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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 260mA(Ta) 750mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN4424A
仓库库存编号:
ZVN4424A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
型号:
ALD1116SAL
仓库库存编号:
1014-1047-ND
别名:1014-1047
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 14-SOIC
型号:
ALD1106SBL
仓库库存编号:
1014-1013-ND
别名:1014-1013
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2022
仓库库存编号:
917-1133-1-ND
别名:917-1133-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
详细描述:Mosfet Array 6 N and 6 P-Channel 200V Surface Mount 56-QFN (8x8)
型号:
TC8020K6-G
仓库库存编号:
TC8020K6-G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661
仓库库存编号:
2N6661MC-ND
别名:2N6661MC
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3
详细描述:通孔 N 沟道 410mA(Ta) 6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6660
仓库库存编号:
2N6660MC-ND
别名:2N6660MC
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tj) 360mW(Tc) TO-39
型号:
VN2210N2
仓库库存编号:
VN2210N2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1.2KV 50A
详细描述:通孔 100A(Tc) 583W(Tc) TO-247AB
型号:
GA50JT12-247
仓库库存编号:
1242-1191-ND
别名:1242-1191
GA50JT12247
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A 780W Module
型号:
BSM120D12P2C005
仓库库存编号:
BSM120D12P2C005-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A 1875W Chassis Mount Module
型号:
BSM300D12P2E001
仓库库存编号:
BSM300D12P2E001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 200mW(Ta) SST3
型号:
RK7002BMT116
仓库库存编号:
RK7002BMT116CT-ND
别名:RK7002BMT116CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V .115A
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Tc) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2V7002LT3G
仓库库存编号:
2V7002LT3GOSCT-ND
别名:2V7002LT3GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J15FV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J15FVL3FCT-ND
别名:SSM3J15FVL3FCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
型号:
RYE002N05TCL
仓库库存编号:
RYE002N05TCLCT-ND
别名:RYE002N05TCLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K15AFU,LF
仓库库存编号:
SSM3K15AFULFCT-ND
别名:SSM3K15AFULFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET NCH 20V 200MA SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 100mW(Ta) SSM
型号:
SSM3K37FS,LF
仓库库存编号:
SSM3K37FSLFCT-ND
别名:SSM3K37FSLFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Ta) 430mW(Ta) X1-DFN1006-3
型号:
DMN65D8LFB-7B
仓库库存编号:
DMN65D8LFB-7BDICT-ND
别名:DMN65D8LFB-7BDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Tc) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2V7002LT1G
仓库库存编号:
2V7002LT1GOSCT-ND
别名:2V7002LT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K37MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K37MFVL3FCT-ND
别名:SSM3K37MFVL3F(TCT
SSM3K37MFVL3F(TCT-ND
SSM3K37MFVL3FCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K15AMFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K15AMFVL3FCT-ND
别名:SSM3K15AMFVL3FCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS123-7-F
仓库库存编号:
BSS123-FDICT-ND
别名:BSS123-FDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SST3
型号:
RUC002N05T116
仓库库存编号:
RUC002N05T116CT-ND
别名:RUC002N05T116CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 0.25A SST3
详细描述:表面贴装 P 沟道 250mA(Ta) 200mW(Ta) SST3
型号:
RSC002P03T316
仓库库存编号:
RSC002P03T316CT-ND
别名:RSC002P03T316CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 350mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMP210DUFB4-7
仓库库存编号:
DMP210DUFB4-7DICT-ND
别名:DMP210DUFB4-7DICT
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